| 主权项 |
1.一种制作具有选定折射率的聚合物层之方法,该方法于真空环境下使用电浆增强化学气相沉积于基板上,该方法包含下列步骤:(a)提供一单体,其可交联于具有该选定折射率之聚合物;(b)将其接收进入瞬间蒸发壳体,于一蒸发表面蒸发该单体,并透过一蒸气输出部排出该蒸气,藉以制作蒸气;(c)使该蒸气通往邻近一辉光放电电极,以及由该蒸气产生一辉光放电,而由该蒸气制作单体电浆;及(d)凝结以及交联该单体电浆于该基板之上,而形成具有选定折射率之聚合物层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中基板邻近该辉光放电电极以及以施加一电位偏压,以接收低温凝结于其上的单体电浆。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之辉光放电电极位于一辉光放电壳体中,壳体具有一蒸气输入部邻近蒸气输出部,该辉光放电壳体以及该辉光放电电极维持一高于该蒸气露点之温度,而该基板位于该单体电浆之下游且为电性悬浮,以接收低温凝结于其上的单体电浆。4.如申请专利范围第1项之方法,其中基板邻近该辉光放电电极且电性接地,以接收低温凝结于其上的单体电浆。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之单体系选自卤化烷类、二烯丙基二苯基矽烷、1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷、苯乙炔、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯以及其组合。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之基板为冷却的。7.如申请专利范围第1项之方法,其更包含加入额外之气体。8.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之额外气体为稳定气体。9.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之额外气体为反应气体。10.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之反应气体为氧气。11.如申请专利范围第1项之方法,其更包括选自有机固体、液体以及其组合的粒子。12.如申请专利范围第11项之方法,其中有机固体系选自双酚、三苯基二胺衍生物、二氢啶二酮以及其组合。13.一种于真空腔中制作具有选定折射率之聚合物层的方法,包含下列步骤:(a)瞬间蒸发一单体材料,该单体材料可交联于具有该选定折射率之聚合物,以形成蒸气;(b)使该蒸气通往一辉光放电电极,而由该蒸气产生一辉光放电单体电浆;(c)凝结该辉光放电单体电浆于基板上,以及交联该辉光放电电浆于其上,该交联起因于该辉光放电电浆中所产生之自由基,以利于固化,而形成具有选定折射率之聚合物层。14.如申请专利范围第13项之方法,其中基板邻近该辉光放电电极以及施加一电位偏压,以接收低温凝结于其上的单体电浆。15.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之辉光放电电极位于一辉光放电壳体中,壳体具有一蒸气输入部邻近蒸气输出部,该辉光放电壳体以及该辉光放电电极维持一高于该蒸气露点之温度,而该基板位于该单体电浆之下游且为电性悬浮,以接收低温凝结于其上的单体电浆。16.如申请专利范围第13项之方法,其中基板邻近该辉光放电电极且电性接地,以接收低温凝结于其上的单体电浆。17.如申请专利范围第13项之方法,其中该单体材料为共轭单体。18.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之单体系选自二烯丙基二苯基矽烷、1,3-二乙烯基四甲基二矽氧烷、苯乙炔、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯以及其组合。19.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之基板为冷却的。20.如申请专利范围第13项之方法,其中该材料为包含粒子之单体。21.如申请专利范围第20项之方法,其中该单体为共轭单体。22.如申请专利范围第20项之方法,其中上述之粒子系选自有机固体、液体以及其组合。23.如申请专利范围第22项之方法,其中有机固态系选自双酚、三苯基二胺衍生物、三氢啶二酮以及其组合。图式简单说明:第一图a为习知技术结合辉光放电电浆产生器以及无机化合物以及瞬间蒸发装置之截面图。第一图b所示为(甲基)丙烯酸酯之化学结构图示。第二图为本发明结合瞬间蒸发以及辉光放电电浆沉积之装置的截面图。第二图a为本发明之装置之末端截面视图。第三图为本发明之装置之截面图,其中基板为电极。第四图所示为苯乙炔之化学结构图示以及由苯乙炔电浆聚合为共轭聚合物的两途径。第五图a所示为三苯基二胺衍生物之化学结构图示。第五图b所示为二氢啶二酮之化学结构图示。第六图a所示为二烯丙基二苯基矽烷之化学结构图示。第六图b所示为聚二烯丙基二苯基矽烷之化学结构图示。第七图a所示为二乙烯基四甲基二矽氧烷之化学结构图示。第七图b所示为乙烯基二乙氧基矽烷之化学结构图示。 |
