| 主权项 |
1.一种可防止外部电极的裂痕之半导体装置,具有:形成贯通孔之基板、和具有电极之半导体元件、和于前述基板其中一边的面,透过接着构件贴黏在包含前述贯通孔上的前述一边的面之任意范围的同时,在被黏贴在前述接着构件的面的反面,被导电连接在前述半导体元件的电极之导电构件、和透过前述贯通孔与前述导电构件连接的同时,设到比前述基板的另一边的面更外侧之外部电极;就前述贯通孔内而言,前述接着构件的一部份介设在形成前述贯通孔的内壁面与前述外部电极之间。2.如申请专利范围第1项记载之半导体装置,其中于前述贯通孔内,拉入介设前述接着构件的一部份。3.一种可防止外部电极的裂痕之半导体装置、具有:形成贯通孔之基板、和具有电极之半导体元件,和于前述基板其中一边的面,被直接形成在包含前述贯通孔上的前述一边的面之任意范围,而被导电连接在前述半导体元件的电极之导电构件、和透过前述贯通孔与前述导电构件连接的同时,设到比前述基板的另一边的面更外侧之外部电极;前述基板系用以前述外部电极弹性高的材料形成的;在前述贯通孔的内壁面,利用构成前述基板的前述材料形成凸部。4.如申请专利范围第1项记载之半导体装置,其中前述外部电极,位于前述贯通孔内侧之基端部的直径d、和从前述贯通孔突出的突出部之直径具有≦d的关系。5.如申请专利范围第3项记载之半导体装置,其中前述外部电极,位于前述贯通孔内侧之基端部的直径d、和从前述贯通孔突出的突出部之直径具有≦d的关系。6.一种可防止外部电极的裂痕之半导体装置,具有:形成贯通孔之基板、和具有电极之半导体元件、和于前述基板其中一边的面,透过接着构件贴黏在包含前述贯通孔上的前述一边的面之任意范围的同时,在被黏贴在前述接着构件的面的反面,被导电连接在前述半导体元件的电极之导电构件、和透过前述贯通孔与前述导电构件连接的同时、设到比前述基板的另一边的面更外侧之外部电极;前述外部电极、位于前述贯通孔内侧之基端部的直径d,和从前述贯通孔突出的突出部之直径具有≦d的关系。7.如申请专利范围第1项记载之半导体装置,其中前述基板为绝缘基板。8.如申请专利范围第3项记载之半导体装置,其中前述基板为绝缘基板。9.如申请专利范围第6项记载之半导体装置,其中前述基板为绝缘基板。10.如申请专利范围第1项记载之半导体装置,其中前述基板为印刷基板。11.如申请专利范围第3项记载之半导体装置,其中前述基板为印刷基板。12.如申请专利范围第6项记载之半导体装置,其中前述基板为印刷基板。13.如申请专利范围第1项记载之半导体装置,其中前述外部电极以焊锡形成。14.如申请专利范围第3项记载之半导体装置,其中前述外部电极以焊锡形成。15.如申请专利范围第6项记载之半导体装置,其中前述外部电极以焊锡形成。16.如申请专利范围第1项记载之半导体装置,其中前述基板的外形比半导体元件的外形大。17.如申请专利范围第3项记载之半导体装置,其中前述基板的外形比半导体元件的外形大。18.如申请专利范围第6项记载之半导体装置,其中前述基板的外形比半导体元件的外形大。19.如申请专利范围第1项记载之半导体装置,其中前述半导体元件的前述电极透过导电粒子为被分散在接着剂的各向异性导电材料而被导电连接在前述导电构件。20.如申请专利范围第3项记载之半导体装置,其中前述半导体元件的前述电极透过导电粒子为被分散在接着剂的各向异性导电材料而被导电连接在前述导电构件。21.如申请专利范围第6项记载之半导体装置,其中前述半导体元件的前述电极透过导电粒子为被分散在接着剂的各向异性导电材料而被导电连接在前述导电构件。22.如申请专利范围第1项记载之半导体装置,其中前述半导体元件的前述电极透过金属线而被导电连接在前述导电构件。23.如申请专利范围第3项记载之半导体装置,其中前述半导体元件的前述电极透过金属线而被导电连接在前述导电构件。24.如申请专利范围第6项记载之半导体装置,其中前述半导体元件的前述电极透过金属线而被导电连接在前述导电构件。25.一种电路基板,其特征系具有形成贯通孔之基板,和具有电极之半导体元件,和于前述基板之一方面之侧,于包含前述贯通孔上之前述一方面之任意范围,藉由黏着构件加以黏贴的同时,于黏贴于前述黏着构件之面的相反侧面,电气连接前述半导体元件之电极的导电构件和藉由前述贯通孔,连接前述导电构件的同时,设置到达较前述基板之另一方之面更为外侧的外部电极;于前述贯通孔内,在形成前述贯通孔之内壁面和前述外部电极之间,安装介入存在前述黏着构件之一部分之半导体装置者。26.一种电路基板,其特征系具有形成贯通孔之基板,和具有电极之半导体元件,和于前述基板之一方面之侧,直接形成于包含前述贯通孔上之前述一方面之任意范围,电气连接前述半导体元件之电极的导电构件,和藉由前述贯通孔,连接前述导电构件的同时,设置到达较前述基板之另一方之面更为外侧的外部电极;前述基板系以较前述外部电极弹性力为高之材料所形成,于前述贯通孔之内壁面,安装经由构成前述基板之前述材料,形成凸部之半导体装置者。27.一种电路基板,其特征系具有形成贯通孔之基板,和具有电极之半导体元件,和于前述基板之一方面之侧,于包含前述贯通孔上之前述一方面之任意范围,藉由黏着构件加以黏贴的同时,于黏贴于前述黏着构件之面的相反侧面,电气连接前述半导体元件之电极的导电构件,和藉由前述贯通孔,连接前述导电构件的同时,设置到达较前述基板之另一方之面更为外侧的外部电极;前述外部电极中,位于前述贯通孔之内侧的基端部之径d,和自前述贯通孔突出之突出部之径,具有≦d之关系。28.一种电子机器,其特征系具有形成贯通孔之基板,和具有电极之半导体元件,和于前述基板之一方面之侧,于包含前述贯通孔上之前述一方面之任意范围,藉由黏着构件加以黏贴的同时,于黏贴于前述黏着构件之面的相反侧面,电气连接前述半导体元件之电极的导电构件,和藉由前述贯通孔,连接前述导电构件的同时,设置到达较前述基板之另一方之面更为外侧的外部电极;于前述贯通孔内,在形成前述贯通孔之内壁面和前述外部电极之间,安装介入存在前述黏着构件之一部分之半导体装置。29.一种电子机器,其特征系具有形成贯通孔之基板,和具有电极之半导体元件,和于前述基板之一方面之侧,直接形成于包含前述贯通孔上之前述一方面之任意范围,电气连接前述半导体元件之电极的导电构件,和藉由前述贯通孔,连接前述导电构件的同时,设置到到较前述基板之另一方之面更为外侧的外部电极;前述基板系以较前述外部电极弹性力为高之材料所形成。于前述贯通孔之内壁面,安装经由构成前述基板之前述材料,形成凸部之半导体装置者。30.一种电子机器,其特征系具有形成贯通孔之基板,和具有电极之半导体元件,和于前述基板之一方面之侧,于包含前述贯通孔上之前述一方面之任意范围,藉由黏着构件加以黏贴的同时,于黏贴于前述黏着构件之面的相反侧面,电气连接前述半导体元件之电极的导电构件,和藉由前述贯通孔,连接前述导电构件的同时,设置到达较前述基板之另一方之面更为外侧的外部电极;前述外部电极中,位于前述贯通孔之内侧的基端部之径d,和自前述贯通孔突出之突出部之径,具有≦d之关系。31.一种可防止外部电极的裂痕之半导体装置之制造方法,其包含有:准备一接着构件为被设在其中一边的面的基板之工程、和藉由将前述基板,从设有前述接着构件的面向着其反面进行脱模,形成贯通孔的同时,在前述贯通孔内拉入前述接着构件的一部份之工程、和透过前述接着构件,在包含前述基板的前述贯通孔上的前述一边的面的任意范围,黏贴导电构件之工程、和透过前述贯通孔及被拉入该贯通孔内的前述一部份的接着构件的内侧,在前述导电构件设置外部电极的形成材料,并形成从前述导电构件形成面的反面突出的的外部电极之工程、和在前述导电构件导连接半导体元件的电极之工程。32.一种可防止外部电极的裂痕之半导体装置之制造方法,其包含有:在内壁面形成具有凸部的贯通孔的同时,在包含前述贯通孔上的范围直接形成导电构件,准备弹力比外部电极更高的材料制成的基板之工程、和透过前述贯通孔,在前述导电构件设有外部电极的形成材料,并形成从前述导电构件的反面突出的外部电极之工程、和在前述导电构件导电连接半导体元件的电极之工程。33.如申请专利范围第32项记载之半导体装置之制造方法,其中包含在形成前述件之前,将前述基板脱模的工程,在前述脱模的工程,将前述基板的一部份拉入前述贯通孔而形成前述凸部。34.如申请专利范围第32项记载之半导体装置之制造方法,其中使用雷射形成前述贯通孔。35.如申请专利范围第32项记载之半导体装置之制造方法,其中利用湿式蚀刻形成前述贯通孔。36.如申请专利范围第31项记载之半导体装置之制造方法,其中前述外部电极,位于前述贯通孔内侧的基端部之直径d、和从前述贯通孔突出的突出部之直径具有≦d的关系。37.如申请专利范围第32项记载之半导体装置之制造方法,其中前述外部电极,位于前述贯通孔内侧的基端部之直径d、和从前述贯通孔突出的突出部之直径具有≦d的关系。38.一种可防止外部电极的裂痕之半导体装置之制造方法,其包含有:准备一形成贯通孔的同时,在包含前述贯通孔上的范围形成导电构件的基板之工程、和透过前述贯通孔,在前述导电构件设置外部电极的形成材料,并形成与从前述导电构件反面突出的外部电极之工程、和在前述导电构件导电连接半导体元件的电极之工程;前述外部电极,位于前述贯通孔内侧的基端部之直径d、和从前述贯通孔突出的突出部之直径具有≦d的关系。39.如申请专利范围第31项记载之半导体装置之制造方法,其中前述基板为绝缘薄膜或印刷基板。40.如申请专利范围第32项记载之半导体装置之制造方法,其中前述基板为绝缘薄膜或印刷基板。41.如申请专利范围第31项记载之半导体装置之制造方法,其中前述外部电极的形成材料为焊锡。42.如申请专利范围第32项记载之半导体装置之制造方法,其中前述外部电极的形成材料为焊锡。43.如申请专利范围第38项记载之半导体装置之制造方法,其中前述外部电极的形成材料为焊锡。44.如申请专利范围第31项记载之半导体装置之制造方法,其中包含在前述导电构件导电连接前述半导体元件的前述电极的工程后,在半导体元件的外侧冲压前述基板的工程。45.如申请专利范围第32项记载之半导体装置之制造方法,其中包含在前述导电构件导电连接前述半导体元件的前述电极的工程后,在半导体元件的外侧冲压前述基板的工程。46.如申请专利范围第38项记载之半导体装置之制造方法,其中包含在前述导电构件导电连接前述半导体元件的前述电极的工程后,在半导体元件的外侧冲压前述基板的工程。47.如申请专利范围第31项记载之半导体装置之制造方法,其中在前述导电构件导电连接前述半导体元件的前述电极之工程,透过导电性粒子为被分散在接着剂的各向异性导电材料,将前述电极导电连接在前述导电构件。48.如申请专利范围第32项记载之半导体装置之制造方法,其中在前述导电构件导电连接前述半导体元件的前述电极之工程,透过导电性粒子为被分散在接着剂的各向异性导电材料,将前述电极导电连接在前述导电构件。49.如申请专利范围第38项记载之半导体装置之制造方法,其中在前述导电构件导电连接前述半导体元件的前述电极之工程,透过导电性粒子为被分散在接着剂的各向异性导电材料,将前述电极导电连接在前述导电构件。50.如申请专利范围第31项记载之半导体装置之制造方法,其中在前述导电构件导电连接前述半导体元件的前述电极之工程,透过金属线,在前述导电构件导电连接前述电极。51.如申请专利范围第32项记载之半导体装置之制造方法,其中在前述导电构件导电连接前述半导体元件的前述电极之工程,透过金属线,在前述导电构件导电连接前述电极。52.如申请专利范围第38项记载之半导体装置之制造方法,其中在前述导电构件导电连接前述半导体元件的前述电极之工程,透过金属线,在前述导电构件导电连接前述电极。图式简单说明:第一图系表示有关第1实施形态的半导体装置之断面图。第二图A及第二图B系表示有关第1实施形态的半导体装置之制造方法之图。第三图系表示有关第1实施形态的变形例的半导体装置之图。第四图系表示有关第2实施形态的半导体装置之图。第五图系表示有关第3实施形态的半导体装置之图。第六图系表示有关第4实施形态的半导体装置之图。第七图系表示有关第5实施形态的半导体装置之断面图。第八图A及第八图B系表示有关第5实施形态的半导体装置之制造方法之图。第九图系表示有关第5实施形态的半导体装置之制造方法之图。第十图系表示有关第5实施形态的半导体装置之制造方法之图。第十一图系表示实装有关本实施形态的半导体装置的电路基板之图。第十二图系表示具备有实装有关本实施形态的半导体装置的电路基板的电子机器之图。 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