| 主权项 |
1.一种静电放电(ESD, electrostatic discharge)保护元件 之形成方法包含: 提供一晶圆包含第一元件区域、第二元件区域、 静电放电保护元件区域,上述各个区域均包含闸极 结构形成于其上; 利用第一光阻定义出第一离子布植区域,以暴露出 该第一元件区域以及该静电放电保护元件区域; 利用该闸极结构做为布植罩幕执行第一次离子布 植以形成具有第一轻微掺杂汲极之第一元件以静 电放电保护元件;去除该第一光阻; 利用第二光阻定义出第二离子布植区域,以暴露出 该第二元件区域以及该静电放电保护元件区域;及 利用该闸极结构做为布植罩幕执行第二次离子布 植以形成具有第二轻微掺杂汲极之第一元件以具 有合成掺杂浓度之静电放电保护元件。2.如申请 专利范围第1项之静电放电保护元件之形成方法, 其中上述之第一元件区域包含输出输入元件。3. 如申请专利范围第2项之静电放电保护元件之形成 方法,其中上述之第一离子布植剂量约为2E12-3.5E13 原子/平方公分。4.如申请专利范围第2项之静电放 电保护元件之形成方法,其中上述之第一离子布植 能量约为5keV-40keV。5.如申请专利范围第2项之静电 放电保护元件之形成方法,如其中上述之第一离子 布植之离子包含砷。6.如申请专利范围第2项之静 电放电保护元件之形成方法,其中上述之第一离子 布植之离子包含磷。7.如申请专利范围第1项之静 电放电保护元件之形成方法,其中上述之第二元件 区域包含核心元件。8.如申请专利范围第7项之静 电放电保护元件之形成方法,其中上述之第二离子 布植剂量约为3E12-9E13原子/平方公分。9.如申请专 利范围第7项之静电放电保护元件之形成方法,其 中上述之第一离子布植能量约为10keV-100keV。10.如 申请专利范围第7项之静电放电保护元件之形成方 法,其中上述之第二离子布植之离子包含砷。11.如 申请专利范围第7项之静电放电保护元件之形成方 法,其中上述之第二离子布植之离子包含磷。12.如 申请专利范围第1项之静电放电保护元件之形成方 法,其中上述之第二元件区域包含输出输入元件。 13.如申请专利范围第12项之静电放电保护元件之 形成方法,其中上述之第二离子布植剂量约为2E12-3 .5E13原子/平方公分。14.如申请专利范围第12项之 静电放电保护元件之形成方法,其中上述之第二离 子布植能量约为5keV-40keV。15.如申请专利范围第12 项之静电放电保护元件之形成方法,其中上述之第 二离子布植之离子包含砷。16.如申请专利范围第 12项之静电放电保护元件之形成方法,其中上述之 第二离子布植之离子包含磷。17.如申请专利范围 第1项之静电放电保护元件之形成方法,其中上述 之第一元件区域包含核心元件。18.如申请专利范 围第17项之静电放电保护元件之形成方法,其中上 述之第一离子布植剂量约为3E12-9E13原子/平方公分 。19.如申请专利范围第17项之静电放电保护元件 之形成方法,其中上述之第一离子布植能量约为10 keV-100keV。20.如申请专利范围第17项之静电放电保 护元件之形成方法,其中上述之第一离子布植之离 子包含砷。21.如申请专利范围第17项之静电放电 保护元件之形成方法,其中上述之第一离子布植之 离子包含磷。图式简单说明: 第一图所示为先前技术形成静电放电保护元件之 截面图。 第二图所示为先前技术形成静电放电保护元件之 截面图。 第三图所示为本发明形成第一轻微掺杂区域之截 面图。 第四图所示为本发明形成第二轻微掺杂区域以及 ESD布植区域截面图。 第五图所示为本发明形成汲极源极、与侧壁间隙 之截面图。 |
