发明名称 化学机械研磨之温度控制装置
摘要 本发明中提供一种化学机械研磨之温度控制装置,以提供化学机械研磨时准确而快速的温度控制。本发明中之装置,主要可包含:研磨平台、研磨头、幅射加热装置、以及温度检测装置;研磨平台上方并包含一研磨垫;研磨头则用以旋转晶圆以进行对晶圆之研磨;幅射加热装置系设置于研磨垫上方,以藉由热幅射方式加热研磨垫;温度检测装置则用以检测研磨垫之温度。以较佳实施例而言,上述之晶圆系于研磨垫上之部分区域进行旋转之研磨,并由上述之研磨平台系提供研磨垫于研磨过程中之旋转运动。
申请公布号 TW458849 申请公布日期 2001.10.11
申请号 TW088112557 申请日期 1999.07.23
申请人 应用材料股份有限公司 发明人 王克尧;吕昆霖;沈世豪;徐振志;张世纬;何佩瑄;陶宜勇
分类号 B24B37/04;B24B49/00;B24B7/24 主分类号 B24B37/04
代理机构 代理人 蔡坤财 台北巿松江路一四八号十二楼
主权项 1.一种化学机械研磨之温度控制装置,至少包含: 一研磨平台,该研磨平台上方并包含一研磨垫; 一研磨头,用以旋转一晶圆以进行对该晶圆之研磨 ; 一幅射加热装置设置于该研磨垫上方,以藉由热幅 射方式加热该研磨垫;以及 一温度检测装置用以检测该研磨垫之温度。2.如 申请专利范围第1项之化学机械研磨温度控制装置 ,其中上述之晶圆系于该研磨垫上之部分区域进行 旋转之研磨。3.如申请专利范围第1项之化学机械 研磨温度控制装置,其中上述之研磨平台系提供该 研磨垫于研磨过程中之旋转运动。4.如申请专利 范围第1项之化学机械研磨温度控制装置,其中上 述之幅射加热装置系加热该研磨垫上之部分区域, 以于该区域旋转进入与晶圆接触之研磨区域前、 加热至所需之处理温度。5.如申请专利范围第4项 之化学机械研磨温度控制装置,其中上述之温度检 测装置系用以检测受热区域进入该研磨区域前之 温度。6.如申请专利范围第1项之化学机械研磨温 度控制装置,其中上述之温度检测装置系为一非接 触式温度检测装置。7.如申请专利范围第6项之化 学机械研磨温度控制装置,其中上述之温度检测装 置至少包含一红外缘测温装置。8.如申请专利范 围第1项之化学机械研磨温度控制装置,其中上述 之幅射加热装置至少包含一加热灯。9.如申请专 利范围第1项之化学机械研磨温度控制装置,更包 含一冷却装置设置于该研磨垫下方,以冷却该研磨 垫。10.如申请专利范围第1项之化学机械研磨温度 控制装置,更包含一研磨液供给装置于该研磨垫上 方,以提供研磨液至该研磨垫表面上。11.如申请专 利范围第1项之化学机械研磨温度控制装置,更包 含一研磨垫调节装置设于该研磨垫上方之部分非 研磨区域,用以调节该研磨垫之表面状态。12.一种 化学机械研磨之温度控制装置,至少包含: 一研磨平台,该研磨平台上方并包含一研磨垫; 一研磨头,用以旋转一晶圆以进行对该晶圆之研磨 ; 一幅射加热装置设置于该研磨垫上方,以藉由热幅 射方式加热该研磨垫; 一温度检测装置用以检测该研磨垫之温度; 一研磨液供给装置于该研磨垫上方,以提供研磨液 至该研磨垫表面上;以及 一研磨垫调节装置设于该研磨垫上方之部分非研 磨区域,用以调节该研磨垫之表面状态。13.如申请 专利范围第12项之化学机械研磨温度控制装置,其 中上述之晶圆系于该研磨垫上之部分区域进行旋 转之研磨。14.如申请专利范围第12项之化学机械 研磨温度控制装置,其中上述之研磨平台系提供该 研磨垫于研磨过程中之旋转运动。15.如申请专利 范围第12项之化学机械研磨温度控制装置,其中上 述之幅射加热装置系加热该研磨垫上之部分区域, 以于该区域旋转进入与晶圆接触之研磨区域前、 加热至所需之处理温度。16.如申请专利范围第15 项之化学机械研磨温度控制装置,其中上述之温度 检测装置系用以检测受热区域进入该研磨区域前 之温度。17.如申请专利范围第12项之化学机械研 磨温度控制装置,其中上述之温度检测装置系为一 非接触式温度检测装置。18.如申请专利范围第17 项之化学机械研磨温度控制装置,其中上述之温度 检测装置至少包含一红外线测温装置。19.如申请 专利范围第12项之化学机械研磨温度控制装置,其 中上述之幅射加热装置至少包含一加热灯。20.如 申请专利范围第12项之化学机械研磨温度控制装 置,更包含一冷却装置设置于该研磨垫下方,以冷 却该研磨垫。21.一种化学机械研磨之温度控制装 置,至少包含: 一研磨平台,该研磨平台上方并包含一研磨垫,研 磨平台系提供该研磨垫于研磨过程中之旋转运动; 一研磨头,用以旋转一晶圆以进行对该晶圆之研磨 ,该晶圆系于该研磨垫上之部分区域进行旋转之研 磨;以及 一幅射加热装置设置于该研磨垫上方,以藉由热幅 射方式加热该研磨垫。22.如申请专利范围第21项 之化学机械研磨温度控制装置,更包含一温度检测 装置、用以检测该研磨垫之温度。23.如申请专利 范围第22项之化学机械研磨温度控制装置,其中上 述之幅射加热装置系加热该研磨垫上之部分区域, 以于该区域旋转进入与晶圆接触之研磨区域前、 加热至所需之处理温度。24.如申请专利范围第23 项之化学机械研磨温度控制装置,其中上述之温度 检测装置系用以检测受热区域进入该研磨区域前 之温度。25.如申请专利范围第22项之化学机械研 磨温度控制装置,其中上述之温度检测装置系为一 非接触式温度检测装置。26.如申请专利范围第25 项之化学机械研磨温度控制装置,其中上述之温度 检测装置至少包含一红外线测温装置。27.如申请 专利范围第21项之化学机械研磨温度控制装置,其 中上述之幅射加热装置至少包含一加热灯。28.如 申请专利范围第21项之化学机械研磨温度控制装 置,更包含一冷却装置设置于该研磨垫下方,以冷 却该研磨垫。29.如申请专利范围第21项之化学机 械研磨温度控制装置,更包含一研磨液供给装置于 该研磨垫上方,以提供研磨液至该研磨垫表面上。 30.如申请专利范围第21项之化学机械研磨温度控 制装置,更包含一研磨垫调节装置设于该研磨垫上 方之部分非研磨区域,用以调节该研磨垫之表面状 态。图式简单说明: 第一图a显示习知之化学机械研磨设备的上视示意 图。 第一图b显示习知之化学机械研磨设备的侧视示意 图。 第二图a显示本发明中化学机械研磨之温度控制装 置的上视示意图。 第二图b显示则为本发明中化学机械研磨之温度控 制装置的侧视示意图。
地址 美国