| 主权项 |
1.一种圆柱形电容器之下部电极的制造方法,包含 下列步骤: 形成一孔洞于一绝缘膜中; 形成一多晶矽膜于该绝缘膜上,以覆盖该孔洞之内 表面; 使用一反应加速剂处理该多晶矽膜之显露表面,该 反应加速剂与后续阶段中所用的正光阻反应,俾降 低该正光阻对于更后阶段所用的显影剂液体之可 溶解度; 沉积该正光阻于整个表面上,以填满该孔洞,使得 填满该孔洞的正光阻与该孔洞内之该反应加速剂 反应,且变得难以溶解于显影剂液体中,即使在该 正光阻曝光后; 曝光整个该正光阻; 使用该显影剂显影该正光阻,使得该正光阻仅残留 于该孔洞内; 使用剩余的正光阻作为遮罩回蚀该多晶矽膜,以移 除该绝缘膜之上表面上方的该多晶矽膜; 移除残留于该孔洞内之该正光阻;以及 移除该绝缘膜,使得该多晶矽膜成为圆柱形状。2. 如申请专利范围第1项之圆柱形电容器之下部电极 的制造方法,其中该反应加速剂包含胺。3.如申请 专利范围第1项之圆柱形电容器之下部电极的制造 方法,其中该反应加速剂包含选自于由六甲基二矽 氨烷与氨所组成之族群中之一材料。4.如申请专 利范围第1项之圆柱形电容器之下部电极的制造方 法,其中该反应加速剂包含六甲基二矽氨烷,并且 使用该反应加速剂对该多晶矽膜之该显露表面之 处理系藉由汽化该六甲基二矽氨烷且藉由使汽化 的六甲基二矽氨烷吹至该多晶矽膜之该显露表面 而实施。5.如申请专利范围第4项之圆柱形电容器 之下部电极的制造方法,其中该六甲基二矽氨烷之 汽化系藉由加热该六甲基二矽氨烷至一温度而实 施,该温度系位于摄氏90度至摄氏140度之范围内。6 .一种圆柱形电容器之下部电极的制造方法,包含 下列步骤: 形成一孔洞于一绝缘膜中; 形成一多晶矽膜于该绝缘膜上,以覆盖该孔洞之内 表面; 涂覆一薄膜于该多晶矽膜之显露表面上,该薄膜包 含一反应加速剂,该反应加速剂与后续阶段中所用 的正光阻反应,俾降低该正光阻对于更后阶段所用 的显影剂液体之可溶解度; 沉积该正光阻于整个表面上,以填满该孔洞,使得 填满该孔洞的正光阻与该孔洞内之该反应加速剂 反应,且变得难以溶解于该显影剂液体中,即使在 该正光阻曝光后; 曝光整个该正光阻; 使用该显影剂显影该正光阻,使得该正光阻仅残留 于该孔洞内; 使用剩余的正光阻作为遮罩回蚀该多晶矽膜,以移 除该绝缘膜之上表面上方的该多晶矽膜; 移除残留于该孔洞内之该正光阻;以及 移除该绝缘膜,使得该多晶矽膜成为圆柱形状。7. 如申请专利范围第6项之圆柱形电容器之下部电极 的制造方法,其中该反应加速剂包含胺。8.如申请 专利范围第6项之圆柱形电容器之下部电极的制造 方法,其中该反应加速剂包含选自于由六甲基二矽 氨烷与氨所组成之族群中之一材料。9.如申请专 利范围第6项之圆柱形电容器之下部电极的制造方 法,其中该反应加速剂包含六甲基二矽氨烷,并且 包含该反应加速剂之该薄膜之涂覆系藉由汽化该 六甲基二矽氨烷且藉由使汽化的六甲基二矽氨烷 吹至该多晶矽膜之该显露表面而实施。10.如申请 专利范围第9项之圆柱形电容器之下部电极的制造 方法,其中该六甲基二矽氨烷之汽化系藉由加热该 六甲基二矽氨烷至一温度而实施,该温度系位于摄 氏90度至摄氏140度之范围内。图式简单说明: 第一图A至第一图E系圆柱形电容器之下部电极之 剖面图,用以显示依据本发明之形成圆柱形电容器 之下部电极之制程的基本特征;以及 第二图A至第二图I系半导体记忆器之剖面图,用以 显示依据本发明之在半导体记忆器中形成圆柱形 电容器之下部电极之制程。 |
