| 主权项 |
1.一种半导体记忆装置,包含: 一唯读半导体记忆装置;以及 一非挥发性半导体记忆装置,用之以将该唯读半导 体记忆装置中所发生之至少一个缺陷区域中之缺 陷资料,代换成用以修整该缺陷资料之修正资料; 该非挥发性半导体记忆装置包含: 一可以电气方式将指出该缺陷区域位址之位址资 料以及该修正资料予以写入之记忆体部份;以及 一决定位址电路,用以在该半导体记忆装置外部所 提供之位址与该位址资料相符时,输出一可闲置该 唯读半导体记忆装置之最终决定信号, 其中当该位址资料与该位址相符时,该非挥发性半 导体记忆装置会读取该记忆体部份中之修正资料 并予以输出。2.如申请专利范围第1项之半导体记 忆装置,其中该记忆体部份包含: 一位址资料存储区,用以储存该位址资料;以及 一修正资料储存区,用以储存该修正资料。3.如申 请专利范围第1项之半导体记忆装置,尚包含一与 该唯读半导体记忆装置之输出以及该非挥发性半 导体记忆装置之输出相连接之资料处理装置。4. 如申请专利范围第1项之半导体记忆装置,其中该 决定结果信号乃是输出至该装置之外部。5.如申 请专利范围第2项之半导体记忆装置,尚包含至少 一个的修正资料存储区以及至少一个的位址资料 存储区。6.如申请专利范围第2项之半导体记忆装 置,尚包含一用以保护该修正资料存储区之电路。 7.如申请专利范围第6项之半导体记忆装置,其中该 用以保护该修正资料存储区之电路,会在外部输入 信号送入一高于供应电压之电压时,解除对该修正 资料存储区之保护。8.如申请专利范围第2项之半 导体记忆装置,其中该非挥发性半导体记忆装置尚 包含一用以保护该位址资料存储区之电路。9.如 申请专利范围第8项之半导体记忆装置,其中该用 以保护该位址资料存储区之电路,会在从外部而来 之输入信号送入一高于供应电压之电压时,解除对 该位址资料存储区之保护。10.如申请专利范围第1 项之半导体记忆装置,其中该非挥发性半导体记忆 装置尚包含一可回应读取命令之输入,将从该记忆 体部份中所读取到之该位址资料予以储存之电阻 。11.如申请专利范围第1项之半导体记忆装置,其 中该唯读记忆体装置以及与该非挥发性记忆体装 置每一个均是由单晶片大型积体电路所形成。12. 如申请专利范围第11项之半导体记忆装置, 其中该唯读记忆体装置以及与该非挥发性记忆体 装置每一个均是由单晶片大型积体电路所形成并 封入同一个封装中。图式简单说明: 第一图之方块图显示出本发明半导体记忆装置的 第一示范组态。 第二图之方块图是第一图半导体记忆装置的变异 型,其非挥发性半导体记忆装置中另包含了一锁定 电路。 第三图之方块图是第一图半导体记忆装置之唯读 半导体记忆装置的内部组态。 第四图是第一图例子之运作时序图。 第五图之方块图显示出本发明之第二示范组态。 第六图A之方块图显示出本发明半导体记忆装置之 第三组态其中所使用的非挥发性半导体记忆装置 。 第六图B是第六图A例子之运作时序图。 第七图是第六图A之例子的记忆体映射图。 第八图A之方块图显示由本发明半导体记忆装置之 第四组态其中所使用的非挥发性半导体记忆装置 。 第八图B是第八图A例子之运作时序图。 |
