| 主权项 |
1.一种包括一个光感测器的电子元件,该光感测器 包括: 一种具有一个表面之第一导电性型式的半导体材 质; 一种覆置于部份半导体材质之上并有第一及第二 闸边缘的转移闸; 一种邻接该转换闸之第二导电性型式的第一掺杂 区域并由表面延伸至本半导体材质内,该第一掺杂 区域有一个以第一间距与第二主动区边缘隔离的 第一主动区边缘以及一个以第二间距与第四主动 区边缘隔离的第三主动区边缘,其中,第一间距等 于或大于第二间距并且其中的第一和第二主动区 边缘比第三和第四主动区边缘接近该转移闸的第 一闸边缘。2.如申请专利范围第1项之电子元件,其 中,第一边缘实质地平行于第二边缘并且第三边缘 实质地平行于第四边缘。3.如申请专利范围第1项 之电子元件,进一步包括一个在第一掺杂区域内之 场氧化区域,该场氧化区域有一个当作第三主动区 的边缘。4.如申请专利范围第1项之电子元件,进一 步包括一个自表面延伸至第一掺杂区域内的第二 掺杂区域,第一导电性型式的第二掺杂区域。5.如 申请专利范围第4项之电子元件,其中,介于第二掺 杂区域底部及第一掺杂区域底部的间距小于约0.5 微米。6.如申请专利范围第1项之电子元件,其中, 该半导体材质包括一个有一层磊晶形成于其上的 半导体基底。7.如申请专利范围第1项之电子元件, 其中,第一掺杂区域包括第一及第二部份,第一部 份包括第一与第二主动区边缘且第二部份包括第 三与第四主动区边缘,其中,第二部份至少有一个 以第三和第四主动区边缘镶边的指状物。8.如申 请专利范围第1项之电子元件,其中,第一掺杂区域 包括第一及第二部份,第一部份包括第一与第二主 动区边缘且第二部份包括第三与第四主动区边缘, 其中,第二部份有一个阶梯状部份,其中,第一阶梯 由第三及第四主动区边缘镶边。9.如申请专利范 围第1项之电子元件,进一步包括一个第二掺杂区 域,该第二掺杂区域邻接转移闸之第二边缘。10.一 种包含一个光感测器的电子元件,该光感测器包括 : 一种有一个主表面的半导体材质; 一种覆置于该主表面上的转移闸,其中,该转移闸 有一个闸边缘; 一种影像感测区,其中,该影像感测区由延伸自该 转移闸边缘之第一和第二边缘所定义且其中自第 一边缘至第二边缘之最短间距定义了沿着第一边 缘之某点上影像感测区的宽度;以及 其中,沿着第一边缘约0.3微米之第一点上的影像感 测区宽度至少与沿着第一边缘约0.7微米之第二点 上的影像感测区宽度一样宽。图式简单说明: 第一图为部份先前技艺像素单元的上视图,包括一 个影像感测区、一个转移闸、及一个源极接点; 第二图是当转移闸未致能时,第一图像素单元的静 电图; 第三图是当转移闸致能时,第一图像素单元的静电 图; 第四图是根据本发明第一具体实施例中,部份像素 单元的上视图; 第五图是第四图中影像感测元件41沿着剖面线( section line)5-5的横切图; 第六图是第四图中影像感测元件41沿着剖面线6-6 的横切图; 第七图是当转移闸未致能时,第四图像素单元的静 电图; 第八图是当转移闸致能时,第四图像素单元的静电 图; 第九图是根据本发明第二具体实施例中部份像素 单元的上视图; 第十图是根据本发明第三具体实施例中部份像素 单元的上视图; 第十一图是当转移闸未致能时,根据本发明像素单 元的静电图; 第十二图是当转移闸致能时,根据本发明像素单元 的静电图; 第十三图是根据本发明第四具体实施例中部份像 素单元的上视图; 第十四图是根据本发明第五具体实施例中部份像 素单元的上视图;以及 第十五图是根据本发明第六具体实施例中部份像 素单元的上视图。 |
