| 主权项 |
1.一种具有高及低电阻接点之半导体装置,该低电 阻接点具有一矽化物区域作为每一低电阻接点的 表面,且该高电阻接点具有植入行动性分解破坏离 子并被一障壁层覆盖以保护矽化层免于和低阻抗 接点内的约互连金属镀层(铝)发生化学交互作用 的表面区域。2.如申请专利范围第1项之半导体装 置,其中该行动性分解破坏有机质由碳或氧构成。 3.一种在具有不同电阻的积体电路上形成接点缝 隙之方法,包括以一离子植入掩层掩蔽一半导体基 材、打开离子植入掩层中的接点区域、植入活动 性分解破坏离子到露出的接点区域、以一绝缘层 覆盖该基材、去除一部份绝缘层以露出部份接点 区域、使露出的接点区域产生矽化反应以形成低 电阻接点区域、自剩下的接点区域去除绝缘层以 形成高电阻接点,其中该半导体基材最好是矽。4. 如申请专利范围第3项之方法,其中该矽化反应的 步离包括淀积一层矽于基材上并使该矽层与由白 金、钛、钨和钼等金属中所选出之一金属一起反 应。5.如申请专利范围第4项之方法,其特征为淀积 一障壁金属于接点区域上以保护矽化物免于和低 电阻接点中之互连金属镀层(铝)发生化学交互作 用的步骤。6.如申请专利范围第3项之方法,其中该 行动性分解破坏离子系由碳或氧所构成。图式简 单说明: 第一图A为一接点的斜视图,图中所示为进行植入 移动性分解破坏材料的步骤。 第一图B所示为植入之后接点的断面图。 第二图所示为接点氧化以后作选择性蚀刻(左边的 接点)的结果。 第三图所示为淀积一非选择性矽化物材料后的结 果。 第四图所示为除去残余之非矽化金属和接点氧化 物以后的结果。 第五图所示为最终金属化的结果,系在一例如TiW的 障壁金属上装上一互相连接的金属,该障壁金属防 止接点和该互连金属发生化学交互作用。 |
