| 主权项 |
1.一种光阻剂交联剂单体,其包括下面化学式1所表 示之化合物: <化学式1> 其中,R1与R2个别表直链或枝链型 C1-10烷基,直链或枝链C1-10酯,直链或枝链C1-10酮,直 链或枝链C1-10羧酸,直链或枝链C1-10缩醛,包括至少 一个羟基之直链或枝链C1-10烷基,包括至少一个羟 基之直链或枝链C1-10酯,包括至少一个羟基直链或 枝链 C1-10酮,包括至少一个羟基之直链或枝链C1-10羧酸, 及包括至少一个羟基之直链或枝链C1-10缩醛;且R3 表氢或甲基。2.一种光阻剂交联剂,其包括化学式1 所表示之化合物的同元聚合物或共聚物。3.如申 请专利范围第2项之光阻剂交联剂,其中该共聚物 更包括一或多种选自包括丙烯酸,甲基丙烯酸和顺 丁烯二酸酐所构成之化合物。4.如申请专利范围 第2项之光阻剂交联剂,其系选自包括:聚(3,3-二甲 氧基丙烯);聚(3,3-二乙氧基丙烯);聚(3,3-二甲氧基 丙烯/丙烯酸);聚(3,3-二乙氧基丙烯/丙烯酸);聚(3,3- 二甲氧基丙烯/顺丁烯二酸酐);聚(3,3-二乙氧基丙 烯/顺丁烯二酸酐);聚(3,3-二甲氧基-2-甲基丙烯);聚 (3,3-二乙氧基-2-甲基丙烯)。5.一种光阻剂组成物, 其包括(i)一光阻剂聚合物,(ii)如申请专利范围第2 项之交联剂,(iii)光酸产生剂及(iv)有机溶剂。6.如 申请专利范围第5项之光阻剂组成物,其中该光阻 剂聚合物包括羟基。7.如申请专利范围第6项之光 阻剂组成物,其中该光阻剂聚合物系选自包括下列 化学式15至20所表示之化合物: <化学式15> <化学式16> <化学式17> <化学式18> <化学式19> <化学式20>8.如申请专利范围第5项之光阻剂组成物 ,其中该光酸产生剂为一或多种选自包括:碘化二 苯基六氟磷酸盐(diphenyl iodide hexafluorophosphate),碘 化二苯基六氟砷酸盐,碘化二苯基六氟锑酸盐,二 苯基对-甲基苯基三氟甲烷磺酸盐,二苯基对-甲苯 基三氟甲烷磺酸盐,二苯基对-异丁基苯基三氟甲 烷磺酸盐,二苯酯对-第三丁基苯基三氟甲烷磺酸 盐,三苯基六氟磷酸盐,三苯基六氟砷酸盐,三 苯基六氟锑酸盐,三苯基硫三氟甲烷磺酸盐和二 丁基基三氟甲烷磺酸盐之化合物。9.如申请 专利范围第5项之光阻剂组成物,其中该有机溶剂 选自包括:环己酮,3-甲氧基丙酸甲酯,3-乙氧基丙酸 乙酯和丙二醇甲基醚乙酸酯。10.一种形成光阻图 案之方法,其包括下列步骤:(a)将如申请专利范围 第5项之组成物涂覆在一晶圆上,(b)使用曝光器使 该晶圆曝光,及(c)将曝光过的晶圆显影。11.如申请 专利范围第10项之方法,其中该光源系选自包括:ArF 光(193奈米)、KrF光(248奈米)、E-束、X-射线、EUV和 DUV(深紫外光)。12.如申请专利范围第10项之方法, 其中该显像步骤系使用硷性显影溶液进行的。13. 如申请专利范围第12项之方法,其中该显像溶液为2 .38重量%或2.5重量%的TMAH水溶液。14.一种半导体元 件,其系由如申请专利范围第10项之方法制造。图 式简单说明: 第一图显示经由使用传统交联剂制得之光阻图案 。 第二图至第十二图显示出使用根据本发明的交联 剂制得之光阻图案。 |
