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发明名称
Rauscharme AlGaPSb/GaInAs Leistungs-HEMT und pseudomorphische HEMT auf einem GaAs Substrat
摘要
申请公布号
DE69614930(D1)
申请公布日期
2001.10.11
申请号
DE19966014930
申请日期
1996.05.30
申请人
HUGHES ELECTRONICS CORP., EL SEGUNDO
发明人
MATLOUBIAN, MEHRAN;LIU, TAKYIU;NGUYEN, CHANH
分类号
H01L21/205;H01L21/338;H01L29/201;H01L29/778;H01L29/812;(IPC1-7):H01L29/778
主分类号
H01L21/205
代理机构
代理人
主权项
地址
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