发明名称 具有非易失存储器的CMOS图像传感器
摘要 在此公开一种形成在集成电路上的CMOS图像传感器。该CMOS图像传感器包括传感阵列和非易失存储器。非易失存储器可以用于存储操作信息,包括在传感阵列中找到的缺陷像素的位置、特征信息和/或控制信息。
申请公布号 CN1316779A 申请公布日期 2001.10.10
申请号 CN01116260.0 申请日期 2001.04.05
申请人 全视技术有限公司 发明人 R·R·福斯特;T·赵;X·何
分类号 H01L27/146;H01L27/115 主分类号 H01L27/146
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 罗朋;王忠忠
主权项 1.一种形成在集成电路上的CMOS图像传感器,所述CMOS图像传感器包括传感阵列和非易失存储器。
地址 美国加利福尼亚州
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