发明名称 |
用于晶体生长装置的电阻加热器及其使用方法 |
摘要 |
一种电阻加热器,供在按照直拉法生长单晶硅锭的拉晶设备中使用,该电阻加热器包括一个加热元件,该加热元件加工成一定尺寸和形状,以便设置在一般在坩埚之上的拉晶设备的外壳中,并与生长晶锭的外表面的成隔开关系使得在晶锭在所述外壳中相对于熔融硅向上提拉时,向晶锭辐射热量。加热元件具有上端和下端,当加热元件放在所述外壳中时,加热元件的下端大体比上端更接近熔融硅,加热元件的结构使得由加热元件产生的加热功率输出从加热元件的下端到上端逐渐增大。 |
申请公布号 |
CN1317058A |
申请公布日期 |
2001.10.10 |
申请号 |
CN99807890.5 |
申请日期 |
1999.06.24 |
申请人 |
MEMC电子材料有限公司 |
发明人 |
R·G·施兰克;W·L·鲁特 |
分类号 |
C30B15/14;C30B15/00;C30B29/06 |
主分类号 |
C30B15/14 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
段承恩 |
主权项 |
1.一种电阻加热器,供在按照直拉法生长单晶硅锭的拉晶设备中使用,该拉晶设备具有外壳、坩埚和提拉机构,上述坩埚在外壳中用于装熔化的硅,而提拉机构用于从熔化的硅中向上提拉正在生长的晶锭,所述加热器包括一个加热元件,该加热元件加工成一定尺寸和形状,以便设置在一般在坩埚之上的拉晶设备的外壳中,其与生长晶锭的外表面成隔开关系使得晶锭在所述外壳中相对于熔融硅向上提拉时,向晶锭辐射热量,该加热元件具有上端和下端,当加热元件放在所述外壳中时,加热元件的下端比上端基本上更接近熔融硅,所述加热元件被构造成使由加热元件产生的加热功率输出从加热元件的下端到上端逐渐增大的结构。 |
地址 |
美国密苏里 |