| 发明名称 | 电磁噪声抑制器、使用该抑制器的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在半导体裸芯片(57)的前表面上形成集成电路，在半导体裸芯片的背侧表面上形成磁损耗薄膜55。 | ||
| 申请公布号 | CN1316777A | 申请公布日期 | 2001.10.10 |
| 申请号 | CN01119032.9 | 申请日期 | 2001.04.04 |
| 申请人 | 株式会社东金 | 发明人 | 吉田荣吉;小野裕司;栗仓由夫;根本道夫;山中英二;山口正洋;岛田宽 |
| 分类号 | H01L23/552;H01L23/58;H01F41/14;H01F1/047;H01L27/04;H01L21/00 | 主分类号 | H01L23/552 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张志醒 |
| 主权项 | 1．一种半导体裸芯片，其前表面上形成有集成电路，其中，磁损耗薄膜形成在所述半导体裸芯片的背表面上。 | ||
| 地址 | 日本宫城县 | ||