| 发明名称 |
Method and apparatus for metallizing high aspect ratio silicon semiconductor device contacts |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2337766(B) |
申请公布日期 |
2001.10.10 |
| 申请号 |
GB19990017626 |
申请日期 |
1997.12.11 |
| 申请人 |
* TOKYO ELECTRON ARIZONA INC;* TOKYO ELECTRON LIMITED |
发明人 |
MICHAEL S * AMEEN;JOSEPH T * HILLMAN |
| 分类号 |
C23C16/02;C23C16/44;C23C16/455;C23C16/509;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/304;H01L21/768;H05K3/14;(IPC1-7):H05K3/26 |
主分类号 |
C23C16/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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