FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A SHARED GATE ELECTRODE,申请号EP19990939716-传众专利搜索

发明名称	FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A SHARED GATE ELECTRODE
摘要
申请公布号	EP1142018(A1)	申请公布日期	2001.10.10
申请号	EP19990939716	申请日期	1999.08.09
申请人	ADVANCED MICRO DEVICES, INC.	发明人	GARDNER, MARK, I.;FULFORD, H., JIM
分类号	H01L29/41;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/00;H01L27/06;H01L27/088;H01L29/786;(IPC1-7):H01L27/06	主分类号	H01L29/41
代理机构		代理人
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