| 发明名称 |
INTEGRATED-CIRCUIT MANUFACTURING USING HIGH INTERSTITIAL-RECOMBINATION-RATE BLOCKING LAYER FOR SOURCE/DRAIN EXTENSION IMPLANT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1138074(A1) |
申请公布日期 |
2001.10.04 |
| 申请号 |
EP20000957940 |
申请日期 |
2000.09.01 |
| 申请人 |
KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.;PHILIPS SEMICONDUCTORS INC |
发明人 |
RUBIN, MARK, E. |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/265;H01L21/336;H01L21/8238;(IPC1-7):H01L21/823 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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