| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé d'implantation uniforme d'une plaquette au moyen d'un faisceau ionique. La plaquette (20) est généralement de type à zone de surface en forme de disque avec un diamètre et un centre. Le faisceau ionique (14) est tout d'abord de forme oblongue incidente sur la plaquette, cette forme ayant une longueur inférieure au diamètre le long d'un premier axe, et une largeur inférieure à la longueur le long d'un second axe. Ensuite, la plaquette est translatée à une vitesse de translation variable dans un sens sensiblement parallèle au second axe. La plaquette est également mise en rotation autour du centre (22) à une vitesse de rotation. Cette plaquette est de préférence translatée de manière que le faisceau ionique implante la plaquette à partir d'un des côtés de la plaquette, sur la zone de surface de la plaquette, et à travers un autre côté de la plaquette, dans un profil de position en rapport avec la vitesse sélectionnée. La plaquette est également inclinée lors de la rotation de manière que le faisceau ionique implante la zone de surface avec un angle sensiblement constant par rapport à l'axe de cristal de la plaquette. Elle peut également être translatée dans un sens sensiblement parallèle au faisceau ionique de manière que le faisceau ionique implante la zone de surface avec une taille de point sensiblement constante. Les procédés de l'invention concerne également la détermination d'une densité de courant de faisceau du faisceau ionique, et l'ajustement de la vitesse de translation variable, ainsi que de la vitesse de rotation, comme fonction de la densité de courant.</p> |
