摘要 |
Die Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für ein Dünnschicht-Bauelement, insbesondere ein Dünnschicht-Hochdrucksensorelement, welcher ein Substrat (5) aufweist, auf das mindestens eine zu strukturierende Funktionsschicht (150) aufzubringen ist, mit den Schritten: Bereitstellen des Substrats (5); Abscheiden der Funktionsschicht (150) auf dem Substrat (5); Strukturieren der Funktionsschicht (150); Maskieren eines bestimmten Bereichs (KP) der strukturierten Funktionsschicht (150); und anodisches Oxidieren des nicht-maskierten Bereichs (R) der strukturierten Funktionsschicht (150) zum Bilden einer Passivierungsschicht (160).
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