| 发明名称 |
MOS transistor in integrated circuit and method of manufacturing the active zone |
| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de formation d'une zone active entourée d'une zone isolante dans un substrat semiconducteur (10), comprenant les étapes consistant à former, dans le substrat, une tranchée entourant une zone active ; remplir la tranchée d'un matériau isolant (11) de façon à former un rebord dépassant de la surface du substrat à la périphérie de la zone active ; former un espaceur (14) à la périphérie dudit rebord ; et effectuer une implantation d'un dopant, d'où il résulte que l'implantation dans la zone située sous l'espaceur est moins profonde que dans le reste de la zone active. <IMAGE>
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| 申请公布号 |
EP1139430(A1) |
申请公布日期 |
2001.10.04 |
| 申请号 |
EP20010410032 |
申请日期 |
2001.03.29 |
| 申请人 |
STMICROELECTRONICS S.A.;KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. |
发明人 |
DE COSTER, WALTER;LUNENBORG, MEINDERT;INARD, ALAIN;GUELEN, JOS |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L29/10;H01L21/265;H01L21/266;H01L21/336;H01L21/762;H01L21/8234;H01L27/08;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/10 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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