免基板及免锡球的球阵式集成电路封装方法

摘要

一种免基板及免锡球的球阵式集成电路封装方法，主要是在铜片上经覆盖干膜与半蚀刻步骤，而在铜片上形成作为后续接点使用的凹槽，其次，在凹槽位置形成第一电镀层，然后依序进行去除干膜、覆盖另一干膜与电镀的步骤，以形成由各个凹槽向上凸伸的内部接点，而后对位于铜片部位两侧的焊垫区进行电镀、植芯片、引线键合、封胶、蚀刻去除最下方的铜片覆盖绿漆之后，即形成一种可利用前述成型的第一电镀层作为外部接点，而内部无基板的集成电路封装。$＃!

主权项

1．一种免基板及免锡球的球阵式集成电路封装方法，其特征在于包括：在铜片上覆盖供形成外部接点的干膜，并对未被干膜覆盖的铜片表面施以略微蚀刻，以形成概略呈圆凹槽的步骤，对该各凹槽部位施以电镀，而形成覆盖在各个凹槽内的圆粒状第一电镀层的步骤，去除前述干膜的步骤，覆盖线路干膜，而对铜片中央部位以及对应于前述第一电镀层的上方电镀形成第二电镀层的步骤，再行覆盖另一干膜，并在形成第二电镀层的铜片中央部位的两侧开口形成焊垫区，使该焊垫区外露的步骤，对该焊垫区进行电镀形成第三电镀层的步骤，去除前述各层干膜的步骤，植入芯片、进行引线键合及封胶的步骤，及蚀刻底面铜片，而使各个第一电镀层的底面外露与一涂覆绿漆的步骤。