憎水性硅片的清洗方法

摘要

提出一种能够清除硅片的憎水性表面上的微粒的方法。此法是对硅片的憎水性表面进行化学氧化处理，使其表面上生长出一个氧化物层，而不会对表面产生非均匀腐蚀。这个氧化物层使表面呈现亲水性。然后，用苛性腐蚀液对此亲水性表面进行清洗，便可将表面上的微粒除掉。$＃!

主权项

1．从硅片的憎水性表面上清洗掉微粒的方法，包括以下步骤：将硅片的憎水性表面浸入含过氧化氢或臭氧和3-18兆欧的去离子水的氧化性溶液中2-60分钟，以在该表面上生长出一个氧化物层，其中这个氧化物层使所述表面呈现亲水的性质；其中所述过氧化氢在氧化性溶液中的浓度为0.03-5％重量，且含过氧化氢的氧化性溶液的温度为10-90℃；或者臭氧在氧化性溶液中的浓度是0.05至50ppm且含臭氧的氧化性溶液的温度为0℃-60℃；然后用含NH4OH的苛性腐蚀液清洗该化学氧化后的表面，除掉上面的微粒，并在上述表面再沉积一层氧化物层，从而制得在其表面具有清洁的亲水性氧化物层的硅片，其中含NH4OH的苛性腐蚀液中含0.03-10％重量的NH4OH,0.04-12％重量的H2O2和88-99.93％重量的H2O。