发明名称 制备薄膜的方法及所制薄膜结构
摘要 本发明涉及一种制备薄膜的方法,它包括以下几个步骤:通过第一个基质层(10)的表面和通过第二个基质层(20)的表面注入几种气体,这就能够在这些基质层中生成微型空腔(11,21)为每个基质层限定出一个薄层(13,23)它处在这些微腔与受注入面之间,在其注入以后这些微腔可引起薄层从其基质层脱离;把第一个基质层(10)组合到第二个基质层(20)上使得其受注入面正好相对;每个薄层(13,23)从其基质层(10,20)脱离,薄层之间彼此组合在一起形成所述的薄膜。本发明还涉及一种带有由该方法所制薄膜的结构。
申请公布号 CN1316098A 申请公布日期 2001.10.03
申请号 CN00801262.8 申请日期 2000.06.29
申请人 法国原子能委员会 发明人 B·阿斯帕;M·布吕尔;C·若索;C·拉加赫
分类号 H01L21/20 主分类号 H01L21/20
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 王勇;陈景峻
主权项 1.薄膜(1,40)的制备方法,其特征在于,它包括以下几个步骤:通过第一个基质层(10)的表面(12)和第二个基质层(20)的表面(22)注入几种气体,就能在这些基质层中产生一些微型空腔(11,21),其为每个基质层限定出一个薄层(13,23),这种薄层处在这些微腔与注入面之间,这些微型空腔在其注入之后就能引起薄层从其基质层的脱离;-第一个基质层(10)组合在第二个基质层(20)上使注入面(12,22)正好彼此相对;-每个薄层从其基质层脱离,薄层(13,23)继续组合起来构成所述薄膜(1,40)。
地址 法国巴黎