发明名称 改进的固定均匀环设计
摘要 公开了一种处理半导体衬底的等离子体处理反应器。装置包括室。此外,室包括支撑衬底的下电极。装置还包括设置以环绕衬底周边的固定均匀环。此外,固定均匀环连接到室的一部分,并以一段间距设置在下电极上,在下电极上形成垂直的空间。此外,设置垂直空间为进出衬底提供空间。此外固定均匀环的厚度基本上减少了第一组分从固定均匀环外朝衬底的边缘扩散。
申请公布号 CN1316095A 申请公布日期 2001.10.03
申请号 CN00801263.6 申请日期 2000.06.29
申请人 兰姆研究有限公司 发明人 T·尼;W·科利森
分类号 H01J37/32 主分类号 H01J37/32
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 陈霁;梁永
主权项 1.一种处理半导体衬底的等离子体处理反应器,包括:室,所述室包括下电极,所述下电极用于支撑所述衬底;以及固定均匀环,设置环绕所述衬底的周边,所述固定均匀环连接到所述室的一部分,并以一段间距设置在所述下电极上,在所述下电极上形成垂直的空间,设置所述垂直空间为进出所述衬底提供空间,所述固定均匀环的厚度基本上减少了第一组分从所述固定均匀环外朝所述衬底的边缘扩散。
地址 美国加利福尼亚州