| 发明名称 |
Halbleiterbauelement mit mindestens einer p pn- oder n np -Zonenfolge im Silizium-Halbleiterkoerper, insbesondere Halbleiterflaechengleichrichter oder Halbleiterstromtor |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE1208011(B) |
申请公布日期 |
1965.12.30 |
| 申请号 |
DE1962S079057 |
申请日期 |
1962.04.18 |
| 申请人 |
SIEMENS-SCHUCKERTWERKE AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
LOB DIPL.-ING. UDO |
| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/22;H01L21/24;H01L29/00;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/74;H01L29/86 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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