| 主权项 |
1.一种背面切割晶圆之方法,其包含下列步骤:提供一晶圆具有一主动表面(active surface)及一背面(back side surface),该晶圆之主动表面具有复数条切割线界定每一个别晶粒;以一切刀切割沿晶圆主动表面上之切割线切割该晶圆之边缘,以形成锯齿状之凹槽;以及由该晶圆之背面以该锯齿状凹槽为定位点,将该晶圆切割为晶粒。2.一种晶圆级半导体封装构造之制造方法,其包含下列步骤:提供一晶圆具有一主动表面及一背面,该晶圆之主动表面具有复数条切割线界定每一个别晶粒,每一晶粒具有复数个凸出电极;沿晶圆之切割线切割割晶圆周边以形成复数个凹槽;以封胶塑料封装该晶圆之主动表面,且该封胶塑料亦填满该凹槽;研磨该晶圆之背面至所需之厚度,该封胶塑料之颜色系与该晶圆之颜色不同,因而该封胶塑料于该晶圆背面凹槽形成复数条定位线;以及藉由该凹槽之封胶塑料所形成的定位线,由晶圆背面将该晶圆切割为晶粒。3.依申请专利范围第2项之晶圆级半导体封装构造之制造方法,其中该研磨过程系藉由一研磨轮机械式研磨。4.依申请专利范围第2项之晶圆级半导体封装构造之制造方法,其另包含一步骤研磨该晶圆上之该封胶塑料,使该凸出电极露出该封胶塑料。5.依申请专利范围第2项之晶圆级半导体封装构造之制造方法,其中该封胶塑料系以点胶方式封装该晶圆之主动表面。6.依申请专利范围第2项之晶圆级半导体封装构造之制造方法,其中其中该封胶塑料系以注模方式封装该晶圆之主动表面。7.依申请专利范围第6项之晶圆级半导体封装构造之制造方法,其中该封胶塑料系以传递模方式封装该晶圆之主动表面。8.一种背面切割晶圆之方法,其包含下列步骤:提供一晶圆具有一主动表面及一背面,该晶圆之主动表面具有复数条切割线界定每一个别晶粒;以一第一切刀切割沿晶圆主动表面上之切割线切割该晶圆之边缘,以形成锯齿状之凹槽;由该晶圆之背面以一第二切刀,沿着该锯齿状凹槽,于该晶圆之背面刻画凹口;以及由该晶圆之背面以一宽度较该第二切刀窄的第三切刀,以该锯齿状凹槽为定位点,将该晶圆切割为晶粒,如此以形成具有一外部阶梯层(outer tier)及一中央阶梯层(central tier)之阶梯状晶粒。9.一种背面切割晶圆之方法,其包含下列步骤:提供一晶圆具有一主动表面及一背面,该晶圆之主动表面具有复数条切割线界定每一个别晶粒;以一第一切刀切割沿晶圆主动表面上之切割线切割该晶圆之边缘,以形成锯齿状之凹槽;由该晶圆之背面以一第二切刀,以该锯齿状凹槽为定位点,于该晶圆之背面上,于该个别晶粒之中间刻画凹痕;以及由该晶圆之背面以一第三切刀,以该锯齿状凹槽为定位点,将该晶圆切割为晶粒,如此以形成具有一凹痕之晶粒。图式简单说明:第一图a:系根据本发明第一实施例之一晶圆之俯示图;第一图b:系第一图a中晶粒局部放大的剖面示图;第二图:系根据本发明第一实施例之晶圆切割锯齿状凹槽之示意图;第三图a:系根据本发明第一实施例之晶圆切割锯齿状凹槽后之上视图;第三图b:系根据本发明第一实施例之晶圆切割锯齿状凹槽后之下视图;第四图:系根据本发明第一实施例之晶圆以封胶塑料封装后之背面示意图;第五图:系根据本发明第一实施例之晶圆以两研磨轮研磨该晶圆之封胶塑料与该晶圆背面之侧面示意图;第六图:显示由背面切割根据本发明第一实施例之晶圆之侧面示意图;第七图:系根据本发明之第一实施例所切割之晶粒之示意图;第八图:系为根据本发明另一实施例之侧面示意图,显示该晶圆以两不同宽度的切刀切割;以及第九图:系第八图中根据本发明之另一实施例所切割之晶粒之示意图;。第十图:系根据本发明之另一实施例之侧面示意图,显示该晶圆以两不同宽度的切刀切割;第十一图:系第十图中本发明之另一实施例所切割之晶粒之示意图;以及第十二图:系第十图中本发明之另一实施例所切割之晶粒固定于基板之示意图。 |
