| 主权项 |
1.一种晶片尺寸封装之制造方法,其步骤至少包含有:提供至少一晶片,其中每一晶片具有复数个焊垫;提供一金属板,其中该金属板系区分为上层及下层,而在该金属板之上层表面形成至少一对应于上述晶片之放置区;部份蚀刻该金属板之上层而形成复数个重分配之导电线路,而该复数个导电线路系被该金属板之下层所承载并包含有相连之第一端点及第二端点,其中第一端点系对应于晶片之焊垫,而第二端点系分散于该放置区内;结合上述晶片于金属板之上层之放置区,并电性连接晶片之焊垫与导电线路之第一端点;封胶该晶片之正面及该金属板之上层之表面;及移除该金属板之下层。2.依申请专利范围第1项所述之晶片尺寸封装之制造方法,其中在上述之移除步骤中,其系以研磨方式移除该金属板之下层。3.依申请专利范围第1项所述之晶片尺寸封装之制造方法,其中在上述之移除步骤中,系以蚀刻方式移除该金属板之下层。4.依申请专利范围第3项所述之晶片尺寸封装之制造方法,其另包含步骤有:在蚀刻移除该金属板之下层之前,批覆复数个防蚀点于该金属板之下层,其中该防蚀点系对应于上层导电线路之第二端点。5.依申请专利范围第4项所述之晶片尺寸封装之制造方法,其中该防蚀点之批覆方法系为电镀镍或镍合金。6.依申请专利范围第1项所述之晶片尺寸封装之制造方法,其中在提供一金属板之步骤中,该金属板之下层表面形成复数个防蚀点,而该防蚀点系对应于在上层之导电线路之第二端点。7.依申请专利范围第6项所述之晶片尺寸封装之制造方法,其中该防蚀点系为镍或镍合金。8.依申请专利范围第1项所述之晶片尺寸封装之制造方法,其中在该至少一晶片之复数个焊垫上形成有凸块,以覆晶型态电性连接该金属板之导电线路之第一端点。9.依申请专利范围第8项所述之晶片尺寸封装之制造方法,其中在该封胶步骤中其系以一底垫形成于一晶片之正面及该金属板之上层之表面之间,而该结合步骤与该封胶步骤系为同时进行。10.依申请专利范围第1项所述之晶片尺寸封装之制造方法,其中在部份蚀刻该金属板之上层之步骤中,在金属板之上层蚀刻而形成一接近该放置区之环绕部,以限制封胶。11.一种晶片尺寸封装结构,其主要包含:至少一晶片,其底面具有复数个焊垫,且在该复数个焊垫上形成有凸块;复数个重分配之导电线路,而该复数个导电线路系由一金属板所形成并均具有相连之第一端点及第二端点,其中第一端点系被该凸块结合于上述至少一晶片之焊垫,而第二端点系分散于相对应之晶片底面;及一封胶体,其系位于晶片之底面与复数个导电线路之间。12.依申请专利范围第11项所述之晶片尺寸封装结构,其中该导电线路之第二端点具有较第一端点更大之厚度。13.依申请专利范围第11项所述之晶片尺寸封装结构,其中该晶片之焊垫系接近于晶片底面之周边。14.依申请专利范围第11项所述之晶片尺寸封装结构,其中该晶片之焊垫系接近晶片底面之一中间部位。15.一种半导体封装结构之制造方法,其步骤至少包含有:提供至少一晶片,其中每一晶片之正面具有复数个焊垫;部份蚀刻一导线架之上层而形成复数个引指,而该复数个引指系被该导线架之下层所承载并包含有相连之第一端及第二端,其中第一端系纵向垂直地对应于晶片之焊垫,而复数个第二端系相互呈均匀分散地分布,其用以作为上述晶片重分布之外部电性连接点;以覆晶型态将上述晶片结合于该导线架之上层,并电性连接该晶片之焊垫至在导线架之复数个引指之第一端;提供一底垫于该晶片与导线架之上层之间;及移除该导线架之下层,其中该底垫系固定该导线架之引指。16.依申请专利范围第15项所述之半导体封装结构之制造方法,其中在上述之移除步骤中,系以蚀刻方式移除该导线架之下层。17.依申请专利范围第16项所述之半导体封装结构之制造方法,其另包含步骤有:在蚀刻移除该导线架之下层之前,批覆复数个防蚀点于该导线架之下层,而该防蚀点系对应于上层引指之第二端。18.依申请专利范围第15项所述之半导体封装结构之制造方法,其中在部份蚀刻一导线架之上层之步骤中,该导线架之下层表面形成复数个防蚀点,而该防蚀点系对应于在上层之引指之第二端。图式简单说明:第一图:焊垫位于晶片正面四周边之晶片俯视图;第二图:依本发明之制造方法对一金属板部份蚀刻而形成至少一个对应于第一图晶片重分布线路之俯视图;第三图a:依本发明之第一具体实施例将第一图晶片结合于第二图部份蚀刻之金属板沿3-3线之截面示意图;第三图b:依本发明之第一具体实施例将第三图a结合构造移除金属板下层之截面示意图;第四图a:依本发明之第二具体实施例将第一图晶片结合于第二图部份蚀刻之金属板并局部电镀后沿3-3线之截面示意图;第四图b:依本发明之第二具体实施例将第四图a结合构造部份移除金属板下层之截面示意图;第五图:焊垫位于晶片正面一中间线部位之晶片俯视图;第六图:依本发明之制造方法对一金属板部份蚀刻而形成至少一个对应于第五图晶片重分布线路之俯视图;第七图a:依本发明之第三具体实施例将第五图晶片结合于第六图部份蚀刻之金属板沿7-7线之截面示意图;第七图b:依本发明之第三具体实施例将第七图a结合构造移除金属板下层之截面示意图;第八图a:依本发明之第四具体实施例将第五图晶片结合于第六图部份蚀刻之金属板并局部电镀后沿7-7线截面示意图;及第八图b:依本发明之第四具体实施例将第八图a结合构造部份移除金属板下层之截面示意图。 |
