| 主权项 |
1.一种多重内连线与低K値内金属介电质之间之构装键结的改良方法,该方法至少包括:提供一半导体基底,该基底具有一层状构造,该层状构造具有一顶部内连线层、一底部内连线层及介于该两内连线层间之复数层相互交替的内连线层及介电层接触窗层,每一该介电层接触窗层系与一相邻的上端该内连线层及一相邻的下端该内连线层对齐,其中一低K値介电质系填充在该层状构造中,做为内金属介电质;图案蚀刻该层状构造,以形成一渠沟在一该内连线层上每一对相邻的内连线之间。形成一第一氧化物层在该层状构造上,以填满在其内之该渠沟;平坦化该第一氧化物层;形成一第二氧化物层在该第一氧化物层上;图案蚀刻该第二氧化物层,以形成复数个开口,每一该开口系与一该顶部内连线对齐;形成一导电性层于该第二氧化物层上,填满该等开口,以形成复数个插塞;及图案蚀刻该导电性层,形成一导电性垫层横跨在每一对该等插塞上方。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之步骤更包含形成一介电层在该顶部内连线层上。3.如申请专利范围第2项之方法,其中上述之介电层包含氮化矽(Si3N4)。4.如申请专利范围第2项之方法,其中上述之介电层包含氮氧化矽(SiON)。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之内连线系由铜形成。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之介电层接触窗系以铜填充形成。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之低K値介电质包含旋涂式低K値有机高分子。8.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之旋涂式低K値有机高分子为flare。9.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之旋涂式低K値有机高分子为silk。10.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之旋涂式低K値有机高分子为parylene。11.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之低K値介电质包含低K値旋涂式玻璃。12.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一氧化物层包含一二氧化矽层,系由化学气相沈积法形成。13.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之二氧化矽层系使用TEOS/O3当做反应气体,在温度650-750℃下,以低压化学气相沈积法形成。14.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第一氧化物层系以化学机械研磨法平坦化。15.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之第二氧化物层为一厚度约1000埃的二氧化矽,系以化学气相沈积法形成。16.如申请专利范围第15项之方法,其中上述之二氧化矽系使用TEOS/O3当做反应气体,在温度650-750℃下,以低压化学气相沈积法形成。17.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之导电性层包含铝。18.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之导电性层包含铝/铜合金。19.一种铜/低K値介电质双重镶嵌制程之构装键结的改良方法,该方法至少包括:提供一半导体基底,该基底具有一层状构造,该层状构造具有一顶部铜内连线层、一底部铜内连线层及介于该两内连线层间之复数层相互交替的铜内连线层及介电层接触窗层,每一该介电层接触窗层以铜填充其中之复数个接触窗并与一相邻相邻的上端该内连线层及一相邻的下端该内连线层对齐,其中该层状构造系以一双重镶嵌制程形成,并且一低K値介电质系填充在该层状构造中,做为内金属介电质;图案蚀刻该层状构造,以形成一渠沟在一该内连线层上每一对相邻的内连线之间。形成一第一氧化物层在该层状构造上,以填满在其内之该渠沟,然后将该第一氧化物层平坦化;形成一第二氧化物层在该第一氧化物层上;图案蚀刻该第二氧化物层,以形成复数个开口,每一该开口系与一该顶部内连线对齐;形成一导电性层于该第二氧化物层上,填满该等开口,以形成复数个插塞;及图案蚀刻该导电性层,形成一导电性垫层横跨在每一对该等插塞上方。20.如申请专利范围第19项之方法,其中上述之步骤更包含形成一介电层在该顶部内连线层上。21.如申请专利范围第20项之方法,其中上述之介电层包含氮化矽(Si3N4)。22.如申请专利范围第20项之方法,其中上述之介电层包含氮氧化矽(SiON)。23.如申请专利范围第19项之方法,其中上述之第一氧化物层包含一二氧化矽层,系由化学气相沈积法形成。24.如申请专利范围第23项之方法,其中上述之二氧化矽层系使用TEOS/O3当做反应气体,在温度650-750℃下,以低压化学气相沈积法形成。25.如申请专利范围第19项之方法,其中上述之第一氧化物层系以化学机械研磨法平坦化。26.如申请专利范围第19项之方法,其中上述之第二氧化物层为一厚度约1000埃的二氧化矽,系以化学气相沈积法形成。27.如申请专利范围第26项之方法,其中上述之二氧化矽系使用TEOS/O3当做反应气体,在温度650-750℃下,以低压化学气相沈积法形成。28.如申请专利范围第19项之方法,其中上述之导电性层包含铝。29.如申请专利范围第19项之方法,其中上述之导电性层包含铝/铜合金。30.如申请专利范围第19项之方法,其中上述之低K値介电质包含低K値旋涂式玻璃。图式简单说明:第一图至第八图系为本发明较佳具体实施例之各种制程步骤之截面示意图。 |
