| 主权项 |
1.一种金属导线的制造方法,包括下列步骤:(a)提供一半导体基底,该半导体基底形成有一导电区域;(b)全面性形成一绝缘层,以覆盖上述半导体基底;(c)在上述绝缘层表面形成一牺牲层;(d)选择性蚀刻上述牺牲层以及上述绝缘层,以形成一露出上述导电区域的镶嵌结构;(e)全面性形成一金属层,该金属层填入上述镶嵌结构;以及(f)化学机械研磨上述金属层,以去除上述牺牲层表面的金属层,而留下一当作金属导线的金属结构。2.如申请专利范围第1项所述之金属导线的制造方法,其中上述绝缘层系利用化学气相沈积法,并且以四乙氧基矽烷为主反应气体以形成的二氧化矽层。3.如申请专利范围第2项所述之金属导线的制造方法,其中上述牺牲层系利用化学气相沈积法所形成的氮化矽层。4.如申请专利范围第1项所述之金属导线的制造方法,其中上述金属层系利用化学气相沈积法所形成的钨金属层。5.如申请专利范围第4项所述之金属导线的制造方法,其中步骤(e)以前更包括形成一衬垫层于上述镶嵌结构之表面的步骤。6.如申请专利范围第1项所述之金属导线的制造方法,其中上述衬垫层系钛层。7.如申请专利范围第1项所述之金属导线的制造方法,其中上述衬垫层系钛层/氮化钛层。8.如申请专利范围第1项所述之金属导线的制造方法,其中上述导电区域系金属导线。9.如申请专利范围第1项所述之金属导线的制造方法,其中更包括在步骤(f)之后,更包括一去除牺牲层的步骤。10.如申请专利范围第9项所述之金属导线的制造方法,其中系利用含有磷酸的缓冲溶液以去除牺牲层。11.一种金属导线的制造方法,包括下列步骤:(a)提供一半导体基底,该半导体基底形成有一导电区域;(b)全面性形成一氧化绝缘层,以覆盖上述半导体基底;(c)在上述氧化绝缘层表面形成一氮化矽牺牲层;(d)选择性蚀刻上述氮化矽牺牲层以及上述氧化绝缘层,以形成一露出上述导电区域的镶嵌结构;(e)在上述镶嵌结构的上表面以及侧壁形成一钛/氮化钛衬垫层;(f)全面性形成一钨金属层,该钨金属层填入上述镶嵌结构;(g)化学机械研磨上述钨金属层,以去除上述氮化矽牺牲层表面的钨金属层,而留下一当作金属导线的钨金属结构;以及(h)去除上述氮化矽牺牲层。12.如申请专利范围第11项所述之金属导线的制造方法,其中上述导电区域系金属导线。13.如申请专利范围第11项所述之金属导线的制造方法,其中系利用含有磷酸的缓冲溶液以去除牺牲层。图式简单说明:第一图A-第一图D系根据习知技术金属导线的制程剖面图示意图。第二图A-第二图E系根据本发明实施例之金属导线的制程剖面示意图。 |
