| 主权项 |
1.一种用来制造物质的装置,包括:一支座,该物质存在于该支座上;一中空套管,用来形成一密闭制程室以抑制一制程流体来制造该物质,该中空套管具有一较低的末端和一较上方的末端;一第一电极连接到该中空套管;至少一第二电极连接到该中空套管的该较低末端,以用来连接到该物质;该支座当上升到啮合该中空套管导致该物质包围在该中空套管的该较低末端,藉由为该密闭制程室形成一包围的较低的支撑面,以保留该制程流体;以及该至少一第二电极接触暴露在该制程流体下的该物质之一表面,当该物质受到藉由该第一电极和到少一第二电极之间不同之一电位而产生之一电场。2.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该至少一第二电极,在制程期间被该制程流体保护。3.如申请专利范围第2项所述之装置,其中该第一电极系为一阳极电极,且该些第二电极系为阴极电极,用来电镀该物质。4.如申请专利范围第3项所述之装置,其中在制程期间,该支座与该中空套管同时旋转或摆动。5.如申请专利范围第2项所述之装置,其中该第一电极系为一阴极和该些第二电极系为复数个阳极,用于电镀该物质。6.如申请专利范围第5项所述之装置,其中在制程期间,该支座与该中空套管同时旋转或摆动。7.如申请专利范围第2项所述之装置,其中在该物质上进行复数个制程。8.一种电镀装置,该装置可用来进行一电镀制程以沉积一物质于一基底上,该装置包括:一支座,该基底存在于该支座上;一中空套管,用来形成一密闭制程室以容纳一电解质用以电解该物质至该基底上,该中空套管具有一较低的末端和一较上方的末端;一阳极电极连接到该中空套管;一阴极电极连接到该中空套管的该较低末端,以用来连接到该基底,并且防止该阴极电极在该电镀制程中与该电解质反应;该支座当上升到啮合该中空套管导致该基底密闭住该中空套管的该较低末端,藉由为该密闭制程室形成一密闭的底层,以保留该电解质;以及该阴极电极接触暴露在该电解质下的该基底之一表面,并且当该基底受到该阳极电极和该阳极电极之间之一电位差所产生之一电场作用时,遮蔽该阴极以防止该电解质之作用。9.如申请专利范围第8项所述之装置,其中该阴极电极包括一或复数个分布于该基底之一周围之电极,藉以分散该阴极之电性接触。10.如申请专利范围第9项所述之装置,其中更包括连接至该晶片支座之一移动式轴,藉以约垂直移动该支座以啮合或非啮口该支座与该中空套管。11.如申请专利范围第10项所述之装置,其中在该基底之该电解制程期间,该支座与该中空套管同时旋转或振荡。12.如申请专利范围第11项所述之装置,其中该基底包括一半导体晶片且沉积之该物质包括铜。13.如申请专利范围第9项所述之装置,其中更包括一壳用以密闭该支座、中空套管、阳极与阴极电极,藉以提供一第二密闭制程室。14.如申请专利范围第13项所述之装置,其中复数组的该支座、中空套管、阳极与阴极电极系位于该壳中,藉以提供复数个密闭制程室,用以在该壳中处理复数个晶片。15.一种抛光装置,该装置可用来进行一电解抛光制程以移除一基底上之一物质,该装置包括:一支座,该基底存在于该支座上;一中空套管,用来形成一密闭制程室以容纳一电解质用以电解抛光该基底上之该物质,该中空套管具有一较低的末端和一较上方的末端;一阳极电极连接到该中空套管;一阴极电极连接到该中空套管的该较低末端,以用来连接到该基底,并且防止该阴极电极在该电解抛光制程中与该电解质反应;该支座当上升到啮合该中空套管导致该基底密闭住该中空套管的该较低末端,藉由为该密闭制程室形成一密闭的底层,以保留该电解质;以及该阳极电极接触暴露在该电解质下的该基底之一表面,并且当该基底受到该阳极电极和该阳极电极之间之一电位差所产生之一电场作用时,遮蔽该阴极以防止该电解质之作用。16.如申请专利范围第15项所述之装置,其中该阳极电极包括一或复数个分布于该基底之一周围之电极,藉以分布该阳极之电性接触。17.如申请专利范围第16项所述之装置,其中更包括连接至该晶片支座之一移动式轴,藉以约垂直移动该支座以啮合或非啮合该支座与该中空套管。18.如申请专利范围第17项所述之装置,其中在该基底之该电解抛光制程期间,该支座与该中空套管同时旋转或振荡。19.如申请专利范围第18项所述之装置,其中该基底包括一半导体晶片且电解抛光之该物质包括铜。20.如申请专利范围第16项所述之装置,其中更包括一壳用以密闭该支座、中空套管、阳极与阴极电极,藉以提供一第二密闭制程室。21.如申请专利范围第20项所述之装置,其中复数组的该支座、中空套管、阳极与阴极电极系位于该壳中,藉以提供复数个密闭制程室,用以在该壳中处理复数个晶片。22.一种存在于密闭制程室的物质之制造方法,包括下列步骤:将一物质放置到一支座上;提供一中空套管用来形成该密闭制程室,以抑制一制程流体,用于形成该物质,该中空套管具有一较低末端和较高末端;在该中空套管内提供一第一电极;提供至少一第二电极连接到该中空套管的该较低末端;举起该支座以啮合该中空套管,藉由形成一围绕的支撑面为该密闭制程室保留该制程流体,以使该支座和该物质围绕在该中空套管的该较低末端;以该制程流体填充该密闭制程室;以及使用一电位越过该第一和第二电极,以制造该物质。23.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该第二电极包括一或复数个分布于该物质之一周围之电极,藉以在该制程期间保护该制程流体。24.如申请专利范围第22项所述之方法,其中填充该封闭制程室的步骤中,包括以一电解液填充该密闭制程室,以用来电镀该物质。25.如申请专利范围第24项所述之方法,其中更包括在电镀期间,同时旋转或振荡该中空套管与该支座。26.如申请专利范围第22项所述之方法,其中填充该封闭制程室的步骤中,包括以一电解液填充该密闭制程室,以用来电除该物质。27.如申请专利范围第22项所述之方法,其中更包括在电除期间,同时旋转或振荡该中空套管与该支座。28.如申请专利范围第22项所述之方法,其中更包括以一电解液填充该密闭制程室,以用来电镀或电除铜。29.如申请专利范围第22项所述之方法,其中更包括以不同的制程流体填充该密闭制程室,以用来在其中进行复数个制程。30.如申请专利范围第22项所述之方法,其中更包括以不同的一电解液填充该密闭制程室,以用来电镀该物质,且以一不同的电解液来电除该物质。图式简单说明:第一图系绘示一种本发明的制程室,可用于制造物质,比如半导体晶片;第二图系绘示在第一图中绘示的制程室去掉部份外壳的图示;第三图系绘示用于本发明之制程室的晶片支座;第四图系绘示用于本发明之制程室的制程电解质之盛装的流体套管;第五图是第一图和第二图的制程室之横面图,绘示当晶片支座上升与套管啮合时,晶片支座的位置;第六图是第一图和第二图的制程室之横面图,绘示与套管分开之晶片支座的释放位置;第七图是当晶片支座与套管啮合以及在盛装区内阳极的位置时,所形成之电解质盛装区的横面图;第八图是具有开口的阳极轴以分配流体的另一实施例之横面图;第九图系绘示用于制程室的许多阴极电极之其中一个的横面图;第十图是本发明的另一实施例,系利用旋转或摆动的套管于制程期间来旋转晶片去掉外壳后的图示;第十一图是用于包装本发明的制程室的外形之图示;第十二图系多个绘示于第十一图的制程单元之群聚工具被群聚在一起而成为一个系统来操作;以及第十三图系绘示本发明的另一实施例之横面图,其中在一个制程室内两个套管被配置在一起,以用于制造多个晶片。 |
