| 主权项 |
1.一种制造金属氧化半导体元件双层闸极之方法,该方法包括:提供一基底;形成一闸氧化层在该基底上;形成一掺杂复晶矽层在该闸氧化层上;形成一牺牲层在该掺杂复晶矽层上;定义该掺杂复晶矽层及该牺牲层形成一闸极结构;形成一绝缘间隙壁在该图案化之该掺杂复晶矽层和该牺牲层侧边;形成一源/汲极区域在该基底上;形成一第一介电层在该基底上,以覆盖该闸极结构,该第一介电层以化学机械研磨法处理至该牺牲层表面被暴露出来;选择性地移除该牺牲层以形成一开口,该开口暴露出该掺杂复晶矽层;填充一金属层进入该开口,以及形成一第二介电层在该金属层及该第一介电层上。2.如申请专利范围第1项所述之制造金属氧化半导体元件双层闸极之方法,其中该介电层包括和该掺杂复晶矽层不同之蚀刻特性。3.如申请专利范围第1项所述之制造金属氧化半导体元件双层闸极之方法,其中该牺牲层包括非晶矽。4.如申请专利范围第3项所述之制造金属氧化半导体元件双层闸极之方法,其中移除该牺牲层方法包括氦气电浆蚀刻。5.如申请专利范围第1项所述之制造金属氧化半导体元件双层闸极之方法,其中该牺牲层包括氮化矽。6.如申请专利范围第5项所述之制造金属氧化半导体元件双层闸极之方法,其中移除该牺牲层方法包括湿式蚀刻。7.如申请金专利范围第1项所述之制造金属氧化半导体元件双层闸极之方法,其中该金属层包括选择性之沈积钨金属层。8.如申请专利范围第1项所述之制造金属氧化半导体元件双层闸极之方法,其中该金属层厚度较该掺杂复晶矽层厚。9.一种制造金属氧化半导体元件双层闸极之方法,该方法包括:依序形成一导电层及一牺牲层在该基底上;定义该导电层及该牺牲层以形成一闸极结构;在该基底上形成一介电层以覆盖该闸极结构之表面,并且暴露出该闸极结构之该牺牲层的表面;以及以一金属层完全的取代该牺牲层。10.如申请专利范围第9项所述之制造金属氧化半导体元件双层闸极之方法,其中该牺牲层之蚀刻特性和该导电层不同。11.如申请专利范围第9项所述之制造金属氧化半导体元件双层闸极之方法,其中以该金属层完全的取代该牺牲层,进一步包括选择性地移除该牺牲层,随后选择性地沈积该金属层在该牺牲层之前所占据之地方。12.如申请专利范围第11项所述之制造金属氧化半导体元件双层闸极之方法,其中该牺牲层包括非晶矽。13.如申请专利范围第12项所述之制造金属氧化半导体元件双层闸极之方法,其中移除该牺牲层包括氦气电浆蚀刻。14.如申请专利范围第11项所述之制造金属氧化半导体元件双层闸极之方法,其中该牺牲层包括氮化矽。15.如申请专利范围第14项所述之制造金属氧化半导体元件双层闸极之方法,其中移除该牺牲层包括湿式蚀刻。16.如申请专利范围第9项所述之制造金属氧化半导体元件双层闸极之方法,其中形成一介电层在该基底上以覆盖该闸极结构之表面,并且暴露出该闸极结构之该牺牲层的表面,包括以该牺牲层当终止层之化学机械研磨法。17.如申请专利范围第9项所述之制造金属氧化半导体元件双层闸极之方法,其中该金属层包括钨。图式简单说明:第一图A至第一图D为根据本发明较佳实施例之双层闸极制造流程剖面图。 |
