| 主权项 |
1.一种电容器,其配置于载体之上的半导体装置中,其-具有一含贵重金属的第一电极(7),-具有一电容器电介质(9),其由一高-介电或铁电材料构成;-具有一第二电极(10),其特征为,此第一电极(7)配置于一与载体相连接之支撑架(51,6)的表面之上,因而此支撑架具有至少两个互相间隔的薄片(51),其在基本上配置平行于载体表面,并且经由一连接部份(6)与载体(1,2)机械式地连接。2.如申请专利范围第1项的电容器,其中此支撑架是由多晶矽构成。3.如申请专利范围第1项的电容器,其中此支撑架是由氧化矽所构成。4.如申请专利范围第1至3项中任一项之电容器,其中此含贵重金属的第一电极(7),覆盖载体表面(2, 4)的一部份。5.如申请专利范围第1至3项中任一项之电容器,其中此此载体在其面向接近电容器的表面上具有一绝缘层(2)其有配置于其中的接触(3),此接触(3)包括一扩散阻障(4),并且与第一电极(7)连接。6.如申请专利范围第5项之电容器,其中此载体包括一MOS电晶体,并且此电晶体的一源极/汲极(11)之接触(3)与第一电极(7)相连接。7.一种制造如申请专利范围第1项之电容器之方法,其特征为在载体(1﹐2)的表面上形成一支撑架,其具有至少两个互相间隔的薄片(51),其基本上是配置平行于载体表面,并且经由一连接部份(6)与载体(1﹐2)作机械性的连接,其中-在载体与支撑架(51﹐6)裸露的表面,均匀地涂布一含贵重金属的第一电极材料,-此含有贵金属之第一电极材料形成第一电极(7)结构,-由一高--介电介或铁电材料所构成之电容器电介质(9),均匀地涂布于第一电极(7)之上,-一第二电极于电容器电介质上产生。8.如申请专利范围第7项之方法,其中-为了在载体(1﹐2)上形成支撑架,在载体上涂布交替式的层序列,其由第一种材料(51)与第二种材料(52)所构成,-此层序列以侧面蚀刻而形成一层结构(5),-形成一连接部份(6),其覆盖层结构(5)的一个侧面,-由第二种材料所构成的层(52)对于由第一种材料所构成的层(51)以及对连接部份选择性地去除,因此而形成支撑架。9.如申请专利范围第8项之方法,其中一些层由p+-掺杂多晶矽所构成的第一种材料所产生,一些层由p--掺杂多晶矽所构成的第二种材料所产生。10.如申请专利范围第8项之方法,其中一些层是由绝缘材料所构成的第一种材料所形成。11.如申请专利范围第9项之方法,其中此连接部份(6)是在层结构(5)的侧面中,藉由倾斜植入而形成。12.如申请专利范围第8至l0项中任一项之方法,其中连接部份(6)藉由选择性磊晶或藉由均匀淀积于层结构(5)全部裸露的侧面上,并且随后以非均向性蚀刻而形成,并且其中在层结构中蚀刻一洞孔,它使得由第一种材料所构成的层(51)裸露设置。13.如申请专利范围第8至11项中任一项之方法,其中在涂布此第一电极材料之后,一辅助层(8)被均匀地涂布,此辅助层(8)与第一电极材料非均向性地形成第一电极(7)结构,并且此剩余的辅助层(8)选择性地对第一电极(7)被去除。14.如申请专利范围第8至11项中任一项之方法,其中在形成支(+)架(51﹐6)之前,于载体表面上涂布一蚀刻终止层(20)。图式简单说明:第一图至第六图显示经过基片的横截面,在其上根据一个DRAM记忆体单胞而说明本方法之第一实施例。第七图至第十二图显示相对应的第二实施例。 |
