利用氮氧化矽之表面钝化

摘要

揭示一种用于制造促成表面状态钝化之结构于装置中的制程。该结构包含有为装置结构之一部份的氮氧化矽层。该氮氧化矽将于氢气气氛中加热时形成含丰富氢而促成表面状态的钝化。

主权项

1.一种在半导体装置制造中,用于在装置中易于钝化表面状态的制程,其包含的步骤为:形成包含有氮氧化矽层的一钝化层于装置中;以及在氢气气氛中加热该装置,使该氮氧化矽层含丰富氢以钝化表面状态而减少漏电流。图式简单说明:第一图系说明具有隔离之简化的传统电晶体装置结构;第二图系说明具有钝化层之简化的电晶体装置结构;第三图系说明具有为复合闸极之部分的钝化层之简化的电晶体装置结构;第四图系表示氮氧化物之折射系数与蚀刻选择性间的关系;第五图A-第五图B系表示以AME及Novellus加工系统所制作的氮氧化物膜周边漏电;第六图系为比较具有传统氮化物膜之装置与具有富氢(H-R)氮化物膜之装置的漏电流的置式;第七图系为比较传统低压化学气相沈积氮化膜与H-R氮化物膜特征的置式;以及第八图示键结于氢之矽百分比对ND周边漏电间的关系。