| 主权项 |
1.一种叶片式化学气相蒸着装置,系于基板成长配线用金属膜的叶片式化学气相蒸着装置,其特征为具有:以较小的相对成膜速度且为具有较佳的埋入特性之第1成膜条件来进行成膜之第1化学气相蒸着模组,及以较大的相对成膜速度且为具有较差的埋入特性之第2成膜条件来进行成膜之第2化学气相蒸着模组,且前述第1成膜条件基板温度被设为150-190℃(不包含190℃)的范围内的温度,在前述第2成膜条件基板温度被设为190-230℃的范围内的温度。2.如申请专利范围第1项之叶片式化学气相蒸着装置,其中以藉由前述第1成膜条件所进行的成膜程序与前述第2成膜条件所进行的成膜程序的组合而结束整个成膜程序的方式构成。3.如申请专利范围第1项之叶片式化学气相蒸着装置,其中前述第1化学气相蒸着模组与前述第2化学气相蒸着模组都是热化学气相蒸着模组。4.如申请专利范围第3项之叶片式化学气相蒸着装置,其中在前述第1化学气相蒸着模组与前述第2化学气相蒸着模组所使用的原料系-双酮(diketonato)之铜(I)错合物,前述金属膜系铜膜。5.如申请专利范围第1项之叶片式化学气相蒸着装置,其中前述原料为三甲基乙烯基矽烷-六氟乙醯基丙酮基铜(I)错合物(trimethylvinylsilyl-hexafluoroacetylacetonato-copper(I))。6.如申请专利范围第1项之叶片式化学气相蒸着装置,其中前述第1成膜条件的基板温度与前述第2成膜条件的基板温度之间的差在5℃以上。7.一种叶片式化学气相蒸着方法,系于基板成长配线用金属膜的叶片式化学气相蒸着方法,其特征为依序实行:以较小的相对成膜速度且为具有较佳的埋入特性之第1成膜条件来进行成膜之第1化学气相蒸着程序,及以较大的相对成膜速度且为具有较差的埋入特性之第2成膜条件来进行成膜之第2化学气相蒸着程序;而完成整个成膜程序。8.如申请专利范围第7项之叶片式化学气相蒸着方法,其中前述第1化学气相蒸着程序与前述第2化学气相蒸着程序的实行顺序,是随着被施以成膜处理的配线图案的形态而被决定的。9.如申请专利范围第8项之叶片式化学气相蒸着方法,其中在前述配线图案的形态相对较小时,先实行前述第1化学气相蒸着程序之后实行第2化学气相蒸着程序;在前述配线图案的形态相对较大时,先实行前述第2化学气相蒸着程序之后实行第1化学气相蒸着程序。10.如申请专利范围第7.8或9项之叶片式化学气相蒸着方法,其中前述第1化学气相蒸着程序与前述第2化学气相蒸着程序都是热化学气相蒸着。11.如申请专利范围第10项之叶片式化学气相蒸着方法,其中在前述第1化学气相蒸着程序与前述第2化学气相蒸着程序所使用的原料系-双酮(diketonato)之铜(I)错合物,前述金属膜系铜膜。12.如申请专利范围第11项之叶片式化学气相蒸着方法,其中前述原料为三甲基乙烯基矽烷-六氟乙醯基丙酮基铜(I)错合物(trimethylvinylsilyl-hexafluoroacetylacetonato-copper(I))。13.如申请专利范围第10项之叶片式化学气相蒸着方法,其中在前述第1成膜条件基板温度被设为150-190℃(不包含190℃)的范围内的温度,在前述第2成膜条件基板温度被设为190-230℃的范围内的温度。14.如申请专利范围第13项之叶片式化学气相蒸着方法,其中前述第1成膜条件的基板温度与前述第2成膜条件的基板温度之间的差在5℃以上。图式简单说明:第一图系显示相关于本发明的叶片式化学气相蒸着装置的第1实施形态的平面图。第二图系显示第1实施形态的配线构造与膜堆积状态的剖面图。第三图系显示相关于本发明的叶片式化学气相蒸着装置的第2实施形态的平面图。第四图系显示第2实施形态的配线构造与膜堆积状态的剖面图。 |
