| 主权项 |
1.一种具有多个以一系列的列和行配置的像素的影像感测器,包含:一第一导电型式的半导体材料;至少二相邻像素形成在此基板内,此像素的每一个具有一电荷至电压转换区域,其系操作地连接至一光侦测器使得此电荷至电压转换区域彼此空间地隔离;及一电气连接,形成在此电荷至电压转换区域之间。2.如申请专利范围第1项的影像感测器,更包含一单一重置电晶体,操作地用于此像素。3.如申请专利范围第2项的影像感测器,其中此重置电晶体的源极空间地隔离于且电气地连接至该等电荷至电压转换区域。4.如申请专利范围第1项的影像感测器,其中此像素是在不同列,但在相同行,且共享一列选择特征。5.如申请专利范围第4项的影像感测器,其中此像素具有独立的传递装置,用以由此光侦测器传递电荷至此电荷至电压转换区域。6.如申请专利范围第1项的影像感测器,其中此像素共享一放大器。7.如申请专利范围第1项的影像感测器,其中此像素共享一放大器和一列选择特征。8.如申请专利范围第1项的影像感测器,更包含至少二传递闸滙流排用于每一像素列。9.如申请专利范围第1项的影像感测器,其中此相邻像素并非所有都彼此邻接。10.一种具有多个以一系列和行配置的像素的影像感测器,包含:一第一导电型式的半导体材料;一预定的像素子集,包含至少二像素形成在此基板内,此像素的每一个具有一电荷至电压转换区域,其系操作地连接至一光侦测器,使得此电荷至电压转换区域彼此空间地隔离;及一电等连接形成在此电荷至电压转换区域之间。11.如申请专利范围第10项的影像感测器,更包含一单一重置电晶体,操作地用于此像素。12.如申请专利范围第11项的影像感测器,其中该重置电晶体的源极系空间地隔离于且电气地连接至此电荷至电压转换区域。13.如申请专利范围第10项的影像感测器,其中该等像素是在不同列,但在相同行,且共享一列选择特征。14.如申请专利范围第13项的影像感测器,其中该等像素具有独立的传递装置,用以由此光侦测器传递电荷至此电荷至电压转换区域。15.如申请专利范围第10项的影像感测器,其中该等像素共享一放大器:16.如申请专利范围第10项的影像感测器,其中该等像素共享一放大器和一列选择特征。17.如申请专利范围第10项的影像感测器,更包含至少二传递闸滙流排用于每一像素列。18.如申请专利范围第10项的影像感测器,其中该等相邻像素并非所有都彼此邻接。图式简单说明:第一图为一对于一四电晶体光二极体主动像素感测器的像素之先前技术结构的一单一像素之一概要和上视图的布局;第二图为一对于一主动像素感测器,一先前技术之共享放大器光二极体之像素结构之二相邻像素的上视图布局;第三图为一对于一主动像素感测器,一先前技术之共享放大器光二极体之像素结构之4相邻像素的上视图布局;第四图为一对于一主动像素感测器,一新的共享放大器光二极体之像素结构之4相邻像素的上视图布局;第五图为一对于一主动像素感测器,此新的共享放大器光二极体之像素结构之一不同的具体装置之4相邻像素的上视图布局;第六图为一对于一主动像素感测器,此新的共享放大器光二极体之像素结构之一不同的具体装置之8相邻像素的上视图布局。 |
