| 主权项 |
1.一种萧基二极体装置,包含:一半导体基板掺以第一种传导形式之第一掺杂物与具有第一主要表面与第二主要表面;许多萧基位障区域位于第一主要表面之上;许多第二种传导形式之第二掺杂物阻绝区域在散布萧基位障区域的第一主要表面上;以及第一与第二主要表面上之第一与第二电气接触,分别定义透过此许多萧基位障区域而介于主要表面之电流路径。2.如申请专利范围第1项之萧基二极体装置,其中每一个萧基位障区域包含一种萧基金属层直接与该半导体基板接触。3.如申请专利范围第1项之萧基二极体装置,其中该阻绝区域为细长条状。4.如申请专利范围第3项之萧基二极体装置,其中该萧基位障区域为细长条状,且与该阻绝区域条状交间隔。5.如申请专利范围第4项之萧基二极体装置,其中该萧基位障区域条状大约为该阻绝区域条状宽度的十倍。6.如申请专利范围第1项之萧基二极体装置,其中该第一掺杂物为一种N型掺杂物以及其中该第二掺杂物为一种P型掺杂物。7.如申请专利范围第2项之萧基二极体装置,其中该萧基金属包含钛,钼,铝,铂,钯,钼之矽化物,铝,铂,或是其他已知金属或其可以与矽形成萧基位障之矽化物。8.如申请专利范围第6项之萧基二极体装置,其中该阻绝区域掺以大约1016-1021cm-3之P型掺杂物。9.如申请专利范围第3项之萧基二极体装置,其中该阻绝区域具有大约0.2-0.5微米的宽度。10.一种萧基二极体装置,包含:一具有第一与第二表面上之半导体基板以及具有许多萧基位障区域在第一表面,一种第一接触电气性地连接到萧基位障区域以及一种第二接触位于第二表面;以及许多阻绝方法,组织相邻接之每一个萧基位障区域,用以阻绝该第一与第二接触之间电流流动以反应附加到该二极体装置的逆向偏压。11.如申请专利范围第10项之萧基二极体装置,其中每一个萧基位障区域包含一种萧基金属层直接与该半导体基板接触。12.如申请专利范围第11项之萧基二极体装置,其中该萧基位障区域可组织为许多平行的细长条状。13.如申请专利范围第11项之萧基二极体装置,其中阻绝方法包含在该基板相邻接该萧基位障区域植入狭窄条状之掺杂物。14.一种用以制造一种萧基二极体装置之方法,包含下列步骤:提供掺以第一传导形式掺杂物且具有顶部与底面之半导体基板;在该基板形成许多阻绝区域;形成许多萧基位障区域;以及分别在该顶部与底部表面形成第一与第二电性接触层,以分别提供该表面间电流流动路径。15.如申请专利范围第14项之方法,其中形成许多阻绝区域包含以狭窄条状植入第二传导型态之掺杂物进入该基板。16.如申请专利范围第15项之方法,其中以该植入形成之掺杂物浓度大约1016-1021cm-3。17.如申请专利范围第15项之方法,其中该第一掺杂物为砷以及该第二掺杂物为硼。18.如申请专利范围第14项之方法,其中形成该萧基位障区域包含沉积一金属层于该半导体基板上。19.如申请专利范围第18项之方法,其中该金属为钼,铝,铂,或钯。20.如申请专利范围第14项之方法,更进一步包含,形成该阻绝区域之前,形成许多该第一传导形式栓状植入与保护环植入在个别栓状与保护环区域。21.如申请专利范围第20项之方法,其中该栓状与保护环植入步骤提供峰値浓度约1015-1016cm-3。22.如申请专利范围第20项之方法,其中一种单一光罩步骤用以形成该栓状与保护环区域。23.如申请专利范围第21项之方法,其中该栓状与保护环植入步骤更进一步包含一种大约1017-1019cm-3之浅植入。图式简单说明:第一图A为本发明之萧基二极体装置部分上视图。第一图B为第一图A所示萧基二极体装置部分侧边切面图。第一图C为整个萧基二极体装置结构侧边切面图。第二图A-第二图C为本发明之萧基二极体装置操作示意图。第三图A-第三图F为侧边示意图展列一种方法用以制作第一图A-第一图C所列之萧基二极体装置。第四图A及第四图B分别为侧边切面与上视图,有关于本发明之萧基二极体装置积体电路片边缘部分展列相邻接触垫之保护环结构。第五图A-第五图F为侧边切面示意图展列另一种方法用以制作根据本发明所提之萧基二极体装置。第六图A-第六图G为侧边切面示意图展列其他另一种方法用以制作根据本发明所提之萧基二极体装置。 |
