发明名称 具多晶片模组之半导体封装件及其制法
摘要 一种具多晶片模组之半导体封装件,系包括至少一黏接至一晶片承载件(Chip Carrier)上之下层晶片,多数之第一导线以反向焊接(Reverse Wire Bonding)之方式电性连接该下层晶片至该晶片承载件,一布设于该下层晶片上之黏着层,且该黏着层完全覆盖该下层晶片焊接有第一导线之表面,以在至少一上层晶片藉该黏着层黏接至该下层晶片上后,避免气泡形成于该上层晶片与下层晶片间,且该上层晶片之面积得同于或大于下层晶片之面积,而无上层晶片会碰触或损及第一导线之问题﹔该上层晶片与该晶片承载件间之电性连接则藉多数之第二导线为之,并使该上层及下层晶片包覆于一封装胶体中。
申请公布号 TW457659 申请公布日期 2001.10.01
申请号 TW089116752 申请日期 2000.08.18
申请人 矽品精密工业股份有限公司 发明人 李铭训;陈锦德
分类号 H01L23/28 主分类号 H01L23/28
代理机构 代理人 陈昭诚 台北巿武昌街一段六十四号八楼
主权项 1.一种具多晶片模组之半导体封装件,系包括:一晶片承载件;至少一第一晶片,该第一晶片具有一作用表面及一相对之非作用表面;使该第一晶片藉由其非作用表面与该晶片承载件黏接;多数之第一焊线,使其外端先焊至该晶片承载件上,再将其内端焊接至该第一晶片之作用表面上,而将该第一晶片与该晶片承载件电性连接;至少一第二晶片,其具有一作用表面及一相对之非作用表面;一胶黏层,其系涂布于该第一晶片之作用表面上,以供该第二晶片之非作用表面与之黏着,而将第二晶片黏设至该第一晶片上,其中,该胶黏层系完全充填于该第一晶片与第二晶片间,而将该第一焊线位于该第一晶片与第二晶片间之部分完全包覆,使该第一焊线不致触碰至该第二晶片之非作用表面;多数之第二焊线,用以电性连接该第二晶片与晶片承载件;以及一封装胶体,用以包覆该第一晶片,第一焊线,第二晶片及第二焊线。2.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该第一焊线连接至该第一晶片与基板后,其线弧系位于第一晶片外之基板上方。3.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该第一焊线位于该第一晶片与第二晶片间之部分系大致平行于该第一晶片之作用表面而延伸方向。4.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该第一焊线及第二焊线为金线者。5.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该第一晶片得略大于该第二晶片。6.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该第一晶片系具有与第二晶片相若之尺寸。7.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该第一晶片得略小于该第二晶片。8.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该晶片片承载件为第一由芯层及布设于芯层上、下表面上之导电迹线所构成之基板者。9.如申请专利范围第8项之半导体封装件,其中,该基板之芯层下表面上之导电迹线的终端复植接有焊球。10.如申请专利范围第1项之半导体封装件,其中,该晶片承载件为一电晶片座与多数导脚构成之导线架。图式简单说明:第一图系本发明第一实施例之半导体封装件之剖视图;第二图系本发明第二实施例之半导体封装件之剖视图;第三图系本发明第三实施例之半导体封装件之剖视图;第四图系本发明第四实施例之半导体封装件之剖视图;第五图系本发明第五实施例之半导体封装件之剖视图;第六图系习知具多晶片模组之半导体封装件之剖视图;第七图系另一习知具多晶片模组之半导体封装件之剖视图;第八图系再一习知具多晶片模组之半导体封装件之剖视图;以及第九图系又一习知具多晶片模组之半导体封装件之俯视图。
地址 台中县潭子乡大丰路三段一二三号
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