发明名称 致冷晶体之封装方法
摘要 一种致冷晶体之封装方法,包括下列步骤:由陶瓷与树脂材料合制形成上、下基板;该上、下基板予网版印刷制成复数个导电胶;该导电胶上进给金属导片排置贴附定位,且金属导片上涂布一层助焊剂;该下基板上贴附金属导片两端分别取不同极性之锑铋晶粒排置接着定位;下基板上排置定位之锑铋晶粒实施探针极性测试;取上基板对合下基板压制成共结之致冷晶体;共结之致冷晶体予以烘乾处理制成完成品;藉此上述步骤程序,上基板及下基板间以形成复数个锑铋晶粒正、负极串联桥接导通之致冷晶体,在晶粒组装上能一次完成多工作业,有效缩短制程时间,亦可避免人工排置晶粒之误辨组配缺失,大幅提升封装良率,达到能快速大量生产之封装制程者。
申请公布号 TW457658 申请公布日期 2001.10.01
申请号 TW089115459 申请日期 2000.08.02
申请人 陈聪智 发明人 陈聪智
分类号 H01L23/28 主分类号 H01L23/28
代理机构 代理人
主权项 一种致冷晶体之封装方法,系包括下列步骤;(1)由陶瓷与树脂材料合制形成上、下基板;(2)该上、下基板予以网版印刷制成复数个等距分布之导电胶;(3)以金属导片排置于预设排置盘中导引贴附定位于该导电胶上,且金属导片上并施以涂布一层助焊剂;(4)分别取不同极性之锑铋晶粒排置于预设排置盘中导引排置接着定位于下基板上贴附之金属导片两端,以形成各相邻之金属导片上接着的锑铋晶粒呈现不同极性对应排置;(5)下基板上排置定位之锑铋晶粒实施探针极性测试,以辨识及筛选正确锑铋晶粒排置位置;(6)取上基板对合下基板压制成共结之致冷晶体;(7)共结之致冷晶体予以烘乾处理制成完成品。藉此上述步骤程序,使上基板及下基板间以形成复数个锑铋晶粒正、负极交错排置串联桥接导通之致冷晶体者。图式简单说明:第一图所示为本发明致冷晶体之封装方法流程图。第二图所示为本发明致冷晶体之上基板及下基板展开示意图。第三图所示为本发明致冷晶体之部份组件分解示意图。第四图所示为本发明致冷晶体之部份组件剖面示意图。第五图所示为本创作致冷晶体成品状态之立体示意图。
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