金属蚀刻用反应腔清洗方法

摘要

本发明揭示一种金属蚀刻反应腔之清洗方法，其系利用无晶圆自动清洗法加上后续之氩清洁来达到清洁金属蚀刻用反应腔之目的。其中无晶圆自动清洗法包含两步骤，首先使用氧气电浆清除蚀刻反应中与光阻反应之副产物，再利用氯气电浆清除蚀刻反应中与光阻下金属薄膜反应之副产物及前一步骤残余之氧气。而氩清洁则可进一步清除掉前一步骤残留之氯气及由无晶圆自动清洗法实施中所产生化学反应之产物。

主权项

1.一种金属蚀刻用反应腔清洗方法,包括以下步骤:进行无晶圆自动清洗,俾清除蚀刻机台反应腔壁之沉积物;及进行氩清洁,俾进一步清除反应腔内残余之杂质。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该无晶圆自动清洗步骤包含以下子步骤:进行氧气电浆清洗,俾清除以碳基为主的沉积物;及进行氯气电浆清洗,俾清除以铝基为主的沉积物。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该氧气电浆清洗系利用10-80毫托之压力、400-2000瓦变压耦式电浆、50-0瓦的底部电源及100-500s.c.c.m.的氧气持续实施10-60秒。4.如申请专利范围第4项之方法,其中该氯气电浆清洗系利用10-80毫托之压力、400-2000瓦变压耦式电浆、50-0瓦的底部电源及100-500s.c.c.m.的氯气持续实施10-60秒。5.如申请专利第1项之方法,其氩清洁系利用0-10毫托之压力、0-300s.c.c.m.的氩气持续实施5-30秒。图式简单说明:第一图系习知之湿式清洗及其后之暖机流程图;第二图系习知之机台闲置超过两小时后之暖机流程图;第三图系本发明之无晶圆自动清洗加氩清洁流程图;第四图为本发明之WAC终点追踪图;第五图为不使用WAC之终点曲线;第六图为在处理过100个晶圆片后使用本发明WAC之终点曲线;第七图为没有实施WAC时试片表面沉积副产物图;第八图为实施WAC后试片表面之图;及第九图为有WAC及无WAC之反映腔之晶片污染率比较图。