| 主权项 |
1.一种晶圆抛光之方法,其具至少一与晶圆可相对运动之抛光元件,其特征为,晶圆表面范围以一较晶圆表面为小之抛光元件作用表面进行抛光,并在抛光元件及晶圆间作相对运动,以使抛光元件与晶圆表面所有范围接触。2.根据申请专利范围第1项所述之方法,其特征为,晶圆为结构化之半导体晶圆。3.根据申请专利范围第1项所述之方法,其特征为,晶圆及/或抛光元件被转动。4.根据申请专利范围第1项所述之方法,其特征为,抛光元件平行于晶圆表面运动。5.根据申请专利范围第1项所述之方法,其特征为,抛光元件之运动不会超出晶圆范围。6.根据申请专利范围第1项所述之方法,其特征为,至少一部份不被抛光元件覆盖之表面被取样。7.根据申请专利范围第6项所述之方法,其特征为,依取样结果结束抛光过程。8.根据申请专利范围第6项所述之方法,其特征为,决定晶圆要加以抛光表面之不平坦度。9.根据申请专利范围第1项所述之方法,其特征为,抛光元件之位置及/或抛光元件与晶圆表面间之压力被控制。10.根据申请专利范围第1项所述之方法,其特征为,晶圆在抛光时其要加以抛光之表面向上。11.根据申请专利范围第1项所述之方法,其特征为,在抛光时一液体被送至晶圆上。12.根据申请专利范围第11项所述之方法,其特征为,液体是经由抛光元件送至晶圆上。13.根据申请专利范围第1项所述之方法,其特征为,在抛光时,晶圆位于充满液体之槽内。14.根据申请专利范围第11项所述之方法,其特征为,液体即抛光媒质。15.根据申请专利范围第1项所述之方法,其特征为,使用包含抛光媒质之抛光元件。16.根据申请专利范围第1项所述之方法,其特征为,抛光元件在每次抛光程序后被自动交换。17.根据申请专利范围第1项所述之方法,其特征为,晶圆表面以至少另一抛光元件加以抛光。18.根据申请专利范围第17项所述之方法,其特征为,晶圆以至少二抛光元件同时进行抛光。19.根据申请专利范围第17项所述之方法,其特征为,晶圆依序以至少二抛光元件进行抛光。20.根据申请专利范围第17项所述之方法,其特征为,第一及第二抛光元件具不同之抛光性质。21.一种晶圆抛光之装置,其具至少一抛光元件及一依晶圆及抛光元件可相对运动之装置,其特征为,抛光元件之作用表面较晶圆要加抛光之表面为小。22.根据申请专利范围第21项所述之装置,其特征为,晶圆为结构化之半导体晶圆。23.根据申请专利范围第21项所述之装置,其特征为,晶圆及/或抛光元件可转动。24.根据申请专利范围第21项所述之装置,其特征为,抛光元件可相对晶圆表面运动。25.根据申请专利范围第21项所述之装置,其特征为,一取样装置用以至少局部将不被抛光元件覆盖之晶圆表面区域进行取样。26.根据申请专利范围第25项所述之装置,其特征为,一控制单元依取样结果结束抛光程序。27.根据申请专利范围第25项所述之装置,其特征为,一控制单元用以决定晶圆表面之不平坦度。28.根据申请专利范围第21项所述之装置,其特征为,一控制单元用以控制抛光元件在晶圆表面上之位置及/或抛光元件与晶圆间之压力。29.根据申请专利范围第21项所述之装置,其特征为,一装置用以将液体送至晶圆上。30.根据申请专利范围第29项所述之装置,其特征为,此装置是设置在支持抛光元件之臂上。31.根据申请专利范围第21项所述之装置,其特征为,具一包含液体之槽,晶圆可置于其内。32.根据申请专利范围第29项所述之装置,其特征为,液体为一抛光媒质。33.根据申请专利范围第21项所述之装置,其特征为,抛光元件包含抛光媒质。34.根据申请专利范围第21项所述之装置,其特征为,一装置用以自动进行抛光元件之交换。35.根据申请专利范围第21项所述之装置,其特征为,一装置用以清洗及/或调整抛光元件。36.根据申请专利范围第21项所述之装置,其特征为,至少有另一具作用表面之元件,此作用表面较要加以抛光之晶圆表面为小;及另一使此另一元件及晶圆有相对运动之装置。37.根据申请专利范围第36项所述之装置,其特征为,此另一元件为另一抛光元件。38.根据申请专利范围第37项所述之装置,其特征为,此另一抛光元件与第一抛光元件相比有不同之抛光特性。39.根据申请专利范围第36项所述之装置,其特征为,此另一元件为清洗元件。40.根据申请专利范围第21项所述之装置,其特征为,抛光元件为圆盘形之抛光布。41.根据申请专利范围第21项所述之装置,其特征为,抛光元件为抛光滚筒。42.根据申请专利范围第41项所述之装置,其特征为,抛光滚筒之长度较晶圆之直径为小。43.根据申请专利范围第21项所述之装置,其特征为,抛光元件为一封闭之抛光带。44.根据申请专利范围第21项所述之装置,其特征为,抛光元件为一开放之抛光带。45.根据申请专利范围第21项所述之装置,其特征为,抛光元件为一抛光环。图式简单说明:第一图发明抛光装置之上视图,第二图于第一图沿剖面线A-A之剖面图,第三图a-f依本发明不同之抛光元件之实施形式。 |
