| 主权项 |
1.一种缩小接触窗开口尺寸的微影制程,包括:提供一涂布有一负光阻之晶片;曝光一第一线/间距光罩,以将该第一线/间距光罩之一第一图案投影于该负光阻上;曝光一第二线/间距光罩,以将该第二线/间距光罩之一第二图案投影于形成有该第一图案之该负光阻上,其中该第一图案与该第二图案交错重叠于该负光阻上共组成一接触窗开口图案;以及将具有该接触窗开口图案之该负光阻显影。2.如申请专利范围第1项所述之缩小接触窗开口尺寸的微影制程,其中该第一图案为相互交错排列且相互平行之线形构形。3.如申请专利范围第1项所述之缩小接触窗开口尺寸的微影制程,其中该第二图案为相互交错排列且相互平行之线形构形。4.如申请专利范围第1项所述之缩小接触窗开口尺寸的微影制程,其中该第一图案与该第二图案相互交错垂直,以形成该接触窗开口图案。5.如申请专利范围第1项所述之缩小接触窗开口尺寸的微影制程,其中该第一光罩与该第二光罩的线距宽与尺寸取决于所欲形成之接触窗开口的长度及宽度。6.一种微影制程,用以定义一接触窗开口之图案,其适用于一涂布有一负光阻之晶片,包括:将一第一光罩之一第一图案曝光投影于该负光阻上;将一第二光罩之一第二图案曝光投影于该负光阻上,其中该第一图案与该第二图案交错重叠于该负光阻止其组成一接触窗开口图案;以及将具有该接触窗开口图案之该负光阻显影。7.如申请专利范围第6项所述之微影制程,其中该第一光罩与该第二光罩包括线/间距光罩。8.如申请专利范围第6项所述之微影制程,其中该第一图案为相互交错排列且相互平行之线形构形。9.如申请专利范围第6项所述之微影制程,其中该第二图案为相互交错排列且相互平行之线形构形。10.如申请专利范围第6项所述之微影制程,其中该第一图案与该第二图案相互交错垂直,以形成该接触窗开口图案。11.如申请专利范围第6项所述之微影制程,其中该第一光罩与该第二光罩的线距宽与尺寸取决于所欲形成之一接触窗开口的长度及宽度。图式简单说明:第一图为接触窗开口图案;第二图A和第二图B分别为欲形成第一图所示之接触窗开口图案的第一线/间距光罩与第二线/间距光罩的示意图;第三图所绘示的是依照本发明一较佳实施例,一种缩小接触窗开口尺寸之微影制程的流程图;以及第四图A至第四图D所绘示的是依照本发明一较佳实施例,一种缩小接触窗开口尺寸之微影制程的制造流程剖面示意图。 |
