| 主权项 |
1.一种电感元件,具有重叠形成于基板上,并彼此呈绝缘状态之2个导体,其中距该基板较远之导体系作为感应导体之用,而该感应导体之引出线则系配置于一通过距该基板较近之另一导体与该基板间之位置者。2.如申请专利范围第1项之电感元件,其中该基板上系形成有3层以上之金属层,且系使用相隔1层以上不同层之该金属层分别形成该2个导体及该引出线者。3.如申请专利范围第1项之电感元件,其中该2个导体系具有大略相同之形状者。4.如申请专利范围第1项之电感元件,其中该2个导体系呈长形者。5.如申请专利范围第1项之电感元件,其中该2个导体系呈转数未满一圈之旋转形状者。6.如申请专利范围第1项之电感元件,其中该2个导体系呈转数1圈以上之涡卷形状者。7.如申请专利范围第1项之电感元件,其中该2个导体系具有转数1周以上之涡卷形状,并使由该感应导体内周侧端部抽出之该引出线贯通另一导体与该基板间者。8.如申请专利范围第1项之电感元件,其中该2个导体系大体上呈直线形者。9.如申请专利范围第1项之电感元件,其中该2个导体系呈蛇行状者。10.如申请专利范围第1项之电感元件,其系具有电感元件之电感部分及位于该2个导体间之电容部分者。11.一种电感元件,具有重叠形成于基板上而彼此呈绝缘状态之2个导体,其中距该基板较远之导体系作为感应导体之用,而另一导体则至少有一端以预定之阻抗元件为其终端者。12.如申请专利范围第11项之电感元件,其中该阻抗元件至少可变更电阻、电容器及感应体其中之一之元件常数,而可藉变更该元件常数而变更具终端条件。13.如申请专利范围第12项之电感元件,其中该基板系半导体基板,而该电容器则系藉使用了形成于该半导体基板内外之半导体层之可变容量二极体而形成者。14.如申请专利范围第12项之电感元件,其中该基板系半导体基板,而该电阻则系藉使用了形成于该半导体基板内外之半导体层之FET通道而形成者。15.如申请专利范围第11项之电感元件,其中该2个导体系具有大略相同之形状者。16.如申请专利范围第11项之电感元件,其中该2个导体系呈长形者。17.如申请专利范围第11项之电感元件,其中该2个导体系呈转数未满一圈之旋转形状者。18.如申请专利范围第11项之电感元件,其中该2个导体系呈转数1圈以上之涡卷形状者。19.如申请专利范围第11项之电感元件,其中该2个导体系大体上呈直线形者。20.如申请专利范围第11项之电感元件,其中该2个导体系呈蛇行状者。21.如申请专利范围第11项之电感元件,其系具有电感元件之电感部分及位于该2个导体间之电容部分者。图式简单说明:第一图显示第1实施例中之电感元件的平面构造。第二图显示第一图中所示之电感元件所包含之上层导体。第三图显示第一图中所示之电感元件所包含之下层导体形状。第四图显示感应导体所包含之2条导体的连接状态。第五图为第一图中V-V线之放大截面图。第六图显示第2实施例中之电感元件构造。第七图显示下层导体之内周端连接可变容量二极体之构造。第八图显示已将第七图中所示之可变容量二极体形成于半导体基板上之截面构造。第九图显示下层导体之内周端与可变电阻连接之构造。第十图显示电感元件所包含之导体变形例。第十一图显示电感元件所包含之导体变形例。第十二图显示电感元件所包含之导体变形例。 |
