| 主权项 |
1.一种辐射杂讯抑制组件,其系包含:一个沿着一条连接到一数位电子装置之电缆线的长度部份上配置之磁性结构,该磁性结构被配置以大致覆盖该电缆线的长度部份之整个圆周;一个大致沿着该电缆线的长度部份被配置以覆盖该磁性结构的导电结构;其中该导电结构的一个第一端系连接至该电子装置的一个接地,该第一端系比该导电结构的一个第二端更靠近该电子装置。2.如申请专利范围第1项之辐射杂讯抑制组件,其中该磁性结构系大致沿着该电缆线的长度部份而被配置以连续或间断地大致覆盖该电缆线的整个圆周。3.如申请专利范围第1项之辐射杂讯抑制组件,其中该导电结构系大致沿着该电缆线的长度部份而被配置以连续地覆盖该磁性结构。4.如申请专利范围第1项之辐射杂讯抑制组件,其中该导电结构的第二端并未连接至该电子装置的接地。5.如申请专利范围第1项之辐射杂讯抑制组件,其中该磁性结构具有大致为环状的形状。6.如申请专利范围第1项之辐射杂讯抑制组件,其中该磁性结构具有大致为片状的形状。7.如申请专利范围第1项之辐射杂讯抑制组件,其更包括一个大致为圆柱状之壳体,其被配置成该被磁性结构所覆盖的电缆线系穿过此大致为圆柱状之壳体的内部,该导电结构系被设置在此大致为圆柱状之壳体之中,使得该磁性结构被该导电结构所覆盖。8.如申请专利范围第7项之辐射杂讯抑制组件,其中该被配置在该大致为圆柱状之壳体的内部之磁性结构系为一种具有预设的弹性之片状磁性材料。9.如申请专利范围第8项之辐射杂讯抑制组件,其中该磁性结构系适于藉由被缠绕在该电缆线的外部表面来覆盖该电缆线的外部表面。10.如申请专利范围第8项之辐射杂讯抑制组件,其中该磁性结构系包含一种两层的结构,并且适于覆盖该电缆线的外部表面,因而该电缆线系被夹设于该两层的磁性结构之两层之间。11.如申请专利范围第1项之辐射杂讯抑制组件,其中该磁性结构系包含两个大致为圆柱状之弹性构件,每个弹性构件均具有一个从一第一端在其纵长方向上延伸至一第二端之长槽,该两个大致为圆柱状之构件的第一构件系被配置在该电缆线的外部表面来覆盖该电缆线,该两个大致为圆柱状之构件的第二构件系被配置在该第一大致为圆柱状之构件的外部表面来覆盖包含该第一大致为圆柱状之构件的长槽之主要部份。12.如申请专利范围第1项之辐射杂讯抑制组件,其中该磁性结构系包含复数个大致为环状核心的构件,每个构件均包含一种具有两个半环状核心片之两片式的大致为环状核心的构件。13.如申请专利范围第12项之辐射杂讯抑制组件,其更包括一个两片式的大致为圆柱状的壳体,此壳体具有两个在其纵长方向上分开的长形半圆柱片;其中该些半环状核心片系被配置在该两个长形半圆柱片之上,使得当该两个长形半圆柱片被闭合在一起以界定该大致为圆柱状的壳体时,每一对之相对应的半环状核心片系界定出该些环状核心构件的其中之一构件。14.如申请专利范围第1项之辐射杂讯抑制组件,其中该电缆线系一种扁平的缆线。15.如申请专利范围第14项之辐射杂讯抑制组件,其中该磁性结构系包含一种具有一个预设的弹性之两层的片状磁性结构,并且系位在该扁平的缆线之两侧,使得该扁平的缆线被夹设于该两层的片状磁性结构之两层之间。16.如申请专利范围第15项之辐射杂讯抑制组件,其更包括一个大致为圆柱状的壳体,此壳体系包含一个具有两个在其纵长方向上分开之半壳体片的扁平壳体,使得当该两个半壳体片被闭合在一起时,覆盖该扁平壳体之两层的片状磁性结构之两个纵长边缘部份系被该扁平壳体的两个半壳体片所压下,藉此界定出一个绕着该扁平壳体的封闭磁性回路。17.如申请专利范围第1项之辐射杂讯抑制组件,其中该磁性结构系由一种包含磁性粒子被混合与捏揉到一种橡胶中的磁性橡胶所制成。18.如申请专利范围第1项之辐射杂讯抑制组件,其更包括一个大致为圆柱状的壳体,此壳体系由一种金所制成,并且被建构成该大致为圆状的壳体界定出一个导电结构。19.如申请专利范围第1项之辐射杂讯抑制组件,其更包括一个大致为圆柱状的壳体,此壳体系由一种树脂所制成。20.如申请专利范围第19项之辐射杂讯抑制组件,其更包括一层金属薄膜配置在该树脂壳体的外部表面上,以便于定出一个用于该大致为圆柱状的壳体之导电度。图式简单说明:第一图是说明根据本发明的一个较佳实施例之辐射杂讯抑制组件的附接之概要的解说图。第二图是概要地说明根据本发明的一个较佳实施例之辐射杂讯抑制组件的某些重要的部份之立体图。第三图是显示当利用一个较佳实施例之辐射杂讯抑制组件以及一个对照例5的辐射杂讯抑制组件时,指示电磁波的辐射位准以及衰减量的量测结果图。第四图是说明根据本发明的另一个较佳实施例之辐射杂讯抑制组件的附接之概要的解说图。第五图是说明根据本发明的又一个较佳实施例之辐射杂讯抑制组件的结构之概要的解说图。第六图是概要地说明与根据本发明的较佳实施例之辐射杂讯抑制组件一起使用的大致为圆柱形之壳体的立体图。第七图是概要地说明根据本发明的一个较佳实施例之辐射杂讯抑制组件的磁性结构之附接的立体图。第八图是概要地说明根据本发明的一个较佳实施例之辐射杂讯抑制组件的立体图。第九图是概要地说明根据本发明的一个较佳实施例之辐射杂讯抑制组件的磁性结构之附接的平面图。第十图是概要地说明根据本发明的一个较佳实施例之辐射杂讯抑制组件的附接之剖面图。第十一图是概要地说明根据本发明的一个较佳实施例之辐射杂讯抑制组件的扁平壳体之立体图。第十二图是概要地说明根据习知技术元件之辐射杂讯抑制组件的立体图。 |
