| 主权项 |
1.一种反熔丝元件胞,包含:反熔丝电容,上述之反熔丝电容包含一离子掺杂井形成于一基板之中做为反熔丝电容之第一电极,第一介电层形成于该离子掺杂井之上,第一闸极位于该第一介电层之上,做为反熔丝电容之第二电极;及至少一选择性电晶体,邻近该反熔丝电容,该选择性电晶体包含第二介电层形成于基板之上,上述之第二介电层厚度相对于该第一介电层之厚度较厚,第二闸极位于该第二介电层之上,汲极邻接于该离子掺杂井且源极位于通道之另一侧。2.如申请专利范围第1项之反熔丝元件胞,其中上述之第一闸极包含N型掺杂复晶矽。3.如申请专利范围第1项之反熔丝元件胞,其中上述之第一闸极包含P型掺杂复晶矽。4.如申请专利范围第1项之反熔丝元件胞,其中上述之第二闸极包含N型掺杂复晶矽。5.如申请专利范围第1项之反熔丝元件胞,其中上述之第二闸极包含P型掺杂复晶矽。6.如申请专利范围第1项之反熔丝元件胞,其中上述之第一介电层包含氧化层。7.如申请专利范围第1项之反熔丝元件胞,其中上述之第二介电层包含氧化层。8.一种反熔丝元件胞,包含:反熔丝电容,上述之反熔丝电容包含一离子掺杂井形成于一基板之中做为反熔丝电容之第一电极,第一介电层形成于该离子掺杂井之上,第一闸极位于该第一介电层之上,做为反熔丝电容之第二电极;第一选择性电晶体,邻近该反熔丝电容,该第一选择性电晶体包含第二介电层形成于基板之上,上述之第二介电层厚度相对于该第一介电层之厚度较厚,第二闸极位于该第二介电层之上,汲极邻接于该离子掺杂井;及第二选择性电晶体,邻近该第一选择电晶体,该第一选择性电晶体包含第三介电层形成于基板之上,上述之第三介电层厚度相对于该第一介电层之厚度较厚,第三闸极位于该第三介电层之上。9.如申请专利范围第8项之反熔丝元件胞,其中上述之第一闸极包含N型掺杂复晶矽。10.如申请专利范围第8项之反熔丝元件胞,其中上述之第一闸极包含P型掺杂复晶矽。11.如申请专利范围第8项之反熔丝元件胞,其中上述之第二闸极包含N型掺杂复晶矽。12.如申请专利范围第8项之反熔丝元件胞,其中上述之第二闸极包含P型掺杂复晶矽。13.如申请专利范围第8项之反熔丝元件胞,其中上述之第三闸极包含N型掺杂复晶矽。14.如申请专利范围第8项之反熔丝元件胞,其中上述之第三闸极包含P型掺杂复晶矽。15.如申请专利范围第8项之反熔丝元件胞,其中上述之第一介电层包含氧化层。16.如申请专利范围第8项之反熔丝元件胞,其中上述之第二介电层包含氧化层。17.如申请专利范围第8项之反熔丝元件胞,其中上述之第三介电层包含氧化层。18.一种反熔丝元件胞,包含:反熔丝电容,上述之反熔丝电容包含一离子掺杂井形成于一基板之中做为反熔丝电容之第一电极,第一介电层形成于该离子掺杂井之上,第一闸极位于该第一介电层之上,做为反熔丝电容之第二电极;第一选择性电晶体,邻近该反熔丝电容,该第一选择性电晶体包含第二介电层形成于基板之上,上述之第二介电层厚度与该第一介电层之厚度相当,第二闸极位于该第二介电层之上,汲极邻接于该离子掺杂井;及第二选择性电晶体,邻近该第一选择电晶体,该第一选择性电晶体包含第三介电层形成于基板之上,上述之第三介电层厚度与该第一介电层之厚度相当,第三闸极位于该第三介电层之上。19.如申请专利范围第18项之反熔丝元件胞,其中上述之第一闸极包含N型掺杂复晶矽。20.如申请专利范围第18项之反熔丝元件胞,其中上述之第一闸极包含P型掺杂复晶矽。21.如申请专利范围第18项之反熔丝元件胞,其中上述之第二闸极包含N型掺杂复晶矽。22.如申请专利范围第18项之反熔丝元件胞,其中上述之第二闸极包含P型掺杂复晶矽。23.如申请专利范围第18项之反熔丝元件胞,其中上述之第三闸极包含N型掺杂复晶矽。24.如申请专利范围第18项之反熔丝元件胞,其中上述之第三闸极包含P型掺杂复晶矽。25.如申请专利范围第18项之反熔丝元件胞,其中上述之第一介电层包含氧化层。26.如申请专利范围第18项之反熔丝元件胞,其中上述之第二介电层包含氧化层。27.如申请专利范围第18项之反熔丝元件胞,其中上述之第三介电层包含氧化层。28.一种反熔丝元件胞,包含反熔丝电容,其第一端接于一参考电位,该反熔丝电容之第二端与至少一选择性晶体串接,其特征在于上述之选择性电晶体之闸极介电层厚度较厚于该反熔丝电容之介电层厚度。29.一种反熔丝元件胞,包含反熔丝电容,其第一端接于一参考电位,该反熔丝电容之第二端与第一选择性晶体串接,其特征在于第二选择性电晶体串接于该第一电晶体,上述之第一与第二选择性电晶体之闸极介电层厚度较厚于该反熔丝电容之介电层厚度。30.一种反熔丝元件胞,包含反熔丝电容,其第一端接于一参考电位,该反熔丝电容之第二端与第一选择性电晶体串接,其特征在于第二选择性电晶体串接于该第一电晶体,上述之第一与第二选择性电晶体之闸极介电层厚度相当于该反熔电容之介电层厚度。31.一种反熔丝元件胞,包含反熔丝电容,其第一端接于一参考电位,其特征在于该反熔丝电容之第二端与至少两选择性电晶体串接,其中上述两选择性电晶体之一之闸极介电层厚度相当于该反熔丝电容之介电层厚度,另一上述之两选择性电晶体之闸极介电层厚度较厚于该反熔丝电容之介电层厚度。图式简单说明:第一图所示为先前技术反熔丝元件胞之截面图。第二图所示为先前技术之电路示意图。第三图所示为本发明反熔丝元件胞之俯视图。第四图所示为本发明反熔丝元件胞之截面图。第五图所示为本发明之电路示意图。第六图所示为本发明另一实施例反熔丝元件胞之截面图。第七图所示为本发明之电路示意图。第八图所示为本发明之电路示意图。 |
