| 摘要 |
<p>반도체층 구조, 상기 반도체층 구조상에 형성된 소스전극 및 드레인전극, 및 소스전극에 접속된 소스배선을 포함하는 반도체장치의 제조방법이 제공된다. 상기 방법은: (a) 기판상에 반도체층 구조를 형성하는 단계; (b) 상기 반도체층 구조를 덮도록 금속층 구조를 형성하는 단계; (c) 금속층 구조상에 소정 패턴을 갖는 레지스트층을 형성하는 단계; (d) 소스전극, 드레인전극 및 소스배선을 형성하도록 레지스트층을 마스크로서 사용하여 금속층 구조에 대해 제 1 에칭 공정을 실행하는 단계; 및 (e) 소스전극과 드레인전극 사이에 트랜지스터 갭부를 형성하도록 레지스트층을 마스크로서 사용하여 반도체층 구조에 대해 제 2 에칭 공정을 실행하는 단계를 포함한다. 상기 단계 (d) 및 (e) 각각의 제 1 및 제 2 에칭 공정은 동일한 체임버내에서 동일한 레지스트층을 마스크로 사용하여 실행된다.</p> |
