| 摘要 |
<P>La présente invention a pour objet un procédé et un dispositif de croissance de monocristaux, notamment de CaF2 . Dans le cadre dudit procédé, une pile de creusets (100, 101,..., 106,... ) renfermant la matière première est translatée en continu, sans arrêt, sans à-coups, au travers successivement d'une chambre de fusion (C1) et d'une chambre de recuit (C2).</P> |
