| 摘要 |
<p>Mit bekannten Vorrichtungen und Verfahren ist eine Benetzung von, eine Entfernung von Gasblasen aus und eine Erhöhung des Stoffaustausches in durch gehenden und Sackbohrungen in Leiterplatten LP nicht ohne weiteres möglich. Insbesondere bei sehr engen Bohrungen mit grossen Aspektenverhältnissen bereitet die Behandlung dieser Bohrungen erhebliche Probleme. Zur Lösung ist ein Verfahren mit folgenden Verfahrensschritten gefunden worden: die Leiterplatten LP werden mit Hilfe von Transportmitteln (13, 14) auf einem horizontalen Transportweg und in einer Transportebene (2) durch eine Behandlungsanlage (1) befördert und dabei mit einer Behandlungsflüssigkeit in Kontakt gebracht, wobei mit Impulserzeugungsmitteln (50) mechanische Impulse direkt, über die Transportmittel (13, 14) und/oder über die Behandlungsflüssigkeit auf die Leiterplatten LP übertragen werden.</p> |
