发明名称 | 硅、金属、介质膜桥射频微机电系统开关 | ||
摘要 | 本发明公开了一种硅、金属、介质膜桥RF MEMS开关,其活动桥由支架和硅梁、介质膜、金属膜(同时也是上电极)组成,介质膜制备在活动桥上,而不是制备在信号电极上。采用本发明的技术方案,消除了介质层制备在传输线上引起的信号传输损耗,减小RF MEMS开关的插入损耗;以硅为桥膜,提高RF MEMS开关的开关性能、使用寿命和可靠性,也便于实现RFMEMS开关的制备工艺与IC工艺的兼容。 | ||
申请公布号 | CN1314689A | 申请公布日期 | 2001.09.26 |
申请号 | CN01102116.0 | 申请日期 | 2001.01.21 |
申请人 | 北京大学 | 发明人 | 金玉丰;张锦文;郝一龙;张大成;王阳元 |
分类号 | H01H13/702 | 主分类号 | H01H13/702 |
代理机构 | 北京华一君联专利事务所 | 代理人 | 余长江 |
主权项 | 1.一种硅、金属、介质膜桥RF MEMS开关,由活动桥、信号电极、地电极和低损耗衬底组成,其特征是活动桥由支架和硅梁、介质膜、金属膜(同时也是上电极)组成,介质膜制备在活动桥上,而不是制备在信号电极上。 | ||
地址 | 100871北京市海淀区中关村北京大学 |