| 发明名称 | 半导体衬底及其生产工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种包括半导体层3的半导体衬底,半导体层3形成在支撑衬底1上,半导体层和支撑衬底之间插入绝缘层3,其中在半导体层表面区域以外的区域内形成标记;以及还提供半导体衬底的生产工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN1314701A | 申请公布日期 | 2001.09.26 |
| 申请号 | CN01101254.4 | 申请日期 | 2001.01.05 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 坂口清文 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L27/12 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1．一种包含半导体层的半导体衬底，半导体层形成在支撑衬底上，半导体层和支撑衬底之间插入绝缘层，其中标记形成在半导体层表面区域以外的区域上。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||