发明名称 | 场致发射型冷阴极结构和使用该冷阴极的电子枪 | ||
摘要 | 本发明涉及场致发射型冷阴极结构和使用该冷阴极的电子枪,能够防止由渗透到阴极部分中的杂质等造成的电子发射误差。本发明包括在基电极和每个发射极片之间形成的低熔点金属层,在栅电极的上部形成的聚焦电极,和在聚焦电极的上部形成的控制电极,在聚焦电极和栅电极之间以及在控制电极和聚焦电极之间有绝缘层,因此本发明可以减少用于加热冷阴极的功率,并可以在屏幕上即刻显示数据和图像。因此,有可能减少用于显示图像的等待时间。 | ||
申请公布号 | CN1314691A | 申请公布日期 | 2001.09.26 |
申请号 | CN01109195.9 | 申请日期 | 2001.03.22 |
申请人 | LG电子株式会社 | 发明人 | 富井薰 |
分类号 | H01J1/304;H01J29/48 | 主分类号 | H01J1/304 |
代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余朦;李辉 |
主权项 | 1.一种场致发射型冷阴极结构,具有以一定间隔在基电极上形成的多个发射极片和在每个发射极片的周围形成的栅电极,在基电极和栅电极之间有用于绝缘的绝缘层,并且在基电极和栅电极之间施加一定的DC电压,该场致发射型冷阴极结构包括:在基电极和每个发射极片之间形成的低熔点金属层。 | ||
地址 | 韩国汉城 |