发明名称 Test method of tester of a semiconductor memory device and apparatus thereof
摘要 <p>본 발명은 반도체 메모리 장치의 테스터의 테스트 방법 및 그 장치를 공개한다. 그 방법은 반도체 메모리 장치에 테스트 패턴을 기입하고, 기입된 테스트 패턴을 독출해서 기대치 패턴과 비교하고, 그 비교결과로부터 상기 반도체 메모리 장치의 불량정보를 검출하고 불량정보를 해석하는 반도체 메모리 장치의 테스터의 테스트 방법에 있어서, 반도체 메모리 장치의 테스트하고자 원하는 크기의 최소값 및 최대값을 설정하는 단계, 설정된 최소값으로부터 최대값까지를 계수하는 계수단계, 계수값이 최대값이 되면 계수값과 최대값을 비교하여 캐리신호를 발생하는 단계, 및 만일 캐리신호가 발생되면 계수값을 리셋하는 단계로 이루어져 반도체 메모리 장치의 어드레스를 발생한다. 그리고, 그 장치는 반도체 메모리 장치의 테스트하고자 원하는 크기의 어드레스의 최소값과 최대값을 저장하기 위한 최소값 및 최대값 어드레스 저장부, 최소값으로부터 상승 계수하여 어드레스를 발생하기 위한 어드레스 계수부, 및 어드레스 계수부로부터 출력되는 어드레스와 최대값 어드레스 저장부의 출력신호가 동일하면 캐리신호를 발생하여 어드레스 계수부를 리셋하기 위한 캐리신호 발생부로 구성되어 있다. 따라서, 반도체 메모리 장치의 크기가 불규칙적이더라도 해당 크기의 어드레스를 정확하게 발생할 수 있고, 테스트 프로그램을 재작성하지 않아도 된다.</p>
申请公布号 KR100305679(B1) 申请公布日期 2001.09.26
申请号 KR19990006088 申请日期 1999.02.24
申请人 null, null 发明人 오세장;강기상
分类号 G11C29/56;G11C29/00;G11C29/10;G11C29/20 主分类号 G11C29/56
代理机构 代理人
主权项
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